このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019065355) 吸着ステージ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/065355 国際出願番号: PCT/JP2018/034388
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 18.09.2018
IPC:
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
出願人:
株式会社新川 SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585, JP
発明者:
小林 泰人 KOBAYASHI, Taito; JP
馬詰 邦彦 MAZUME, Kunihiko; JP
代理人:
特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
優先権情報:
2017-18863528.09.2017JP
発明の名称: (EN) SUCTION-ATTACHMENT STAGE
(FR) ÉTAGE DE FIXATION PAR ASPIRATION
(JA) 吸着ステージ
要約:
(EN) This suction-attachment stage (20) comprises: an upper plate (21) having a plurality of suction-attachment holes (22); first to third vacuum flow passageways(41 to 43) which respectively connect the plurality of suction-attachment holes (22) in the upper plate (21) to a vacuum device (45) for a plurality of groups A1 to A3 corresponding to the size of a semiconductor die; and first and second check valves (61, 62) respectively disposed in the second and third vacuum flow passageways (42, 43). The first and second check valves (61, 62) close when the suction-attachment holes (22) are opened to the atmosphere, and open when the suction-attachment holes (22) are blocked by a semiconductor die.
(FR) La présente invention concerne un étage de fixation par aspiration (20) qui comprend : une plaque supérieure (21) ayant une pluralité de trous (22) de fixation par aspiration ; un premier à un troisième passage d’écoulement (41 à 43) à vide qui raccordent respectivement la pluralité de trous (22) de fixation par aspiration dans la plaque supérieure (21) à un dispositif à vide (45) pour une pluralité de groupes (A1 à A3) correspondant à la taille d’une puce semi-conductrice ; et de première et deuxième vannes de contrôle (61, 62) disposées respectivement dans les deuxième et troisième passages d’écoulement (42, 43) à vide. Les première et deuxième vannes de contrôle (61, 62) se ferment lorsque les trous (22) de fixation par aspiration sont ouverts à l’atmosphère, et s’ouvrent lorsque les trous (22) de fixation par aspiration sont bloqués par une puce semi-conductrice.
(JA) 吸着ステージ(20)は、複数の吸着孔(22)が設けられた上板(21)と、上板(21)に設けられた複数の吸着孔(22)を半導体ダイのサイズに応じた複数のグループA1~A3毎に真空装置(45)に接続する第1~第3真空流路(41~43)と、第2、第3真空流路(42,43)に設けられた第1、第2逆止弁(61,62)を含み、第1、第2逆止弁(61,62)は、吸着孔(22)が大気開放されている場合に閉となり、半導体ダイによって吸着孔(22)が塞がれると開となる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)