このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019065055) 有機薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/065055 国際出願番号: PCT/JP2018/031902
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 29.08.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
発明者:
金坂 将 KANESAKA, Sho; JP
吉川 栄二 YOSHIKAWA, Eiji; JP
横井 優季 YOKOI, Yuki; JP
代理人:
中山 亨 NAKAYAMA, Tohru; JP
坂元 徹 SAKAMOTO, Toru; JP
優先権情報:
2017-18446326.09.2017JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ
要約:
(EN) Provided is an organic thin film transistor that has excellent inter-layer contact tightness and with which a large source drain current can be obtained. This organic thin film transistor comprises a gate electrode, a gate insulation layer (A), a gate insulation layer (B), an organic semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode. The gate insulation layer (A) and the gate insulation layer (B) are provided between the gate electrode and the organic semiconductor layer. One surface of the gate insulation layer (B) is adjacent to the organic semiconductor layer. The gate insulation layer (B) is a layer containing a cross-linked polymer compound having one or more species of atom selected from the group consisting of silicon atoms and fluorine atoms. The dielectric constant of the gate insulation layer (A) is higher than the dielectric constant of the gate insulation layer (B) by 0.5 or more.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces organique qui est excellent en termes d'adhérence intercouche, et qui permet d'obtenir un courant source-drain important. Ainsi, l'invention concerne un transistor à couches minces organique qui est équipé d'une électrode de grille, d'une couche d'isolation de grille (A), d'une couche d'isolation de grille (B), d'une couche semi-conductrice organique, d'une électrode source et d'une électrode drain. Plus précisément, ce transistor à couches minces organique est équipé de la couche d'isolation de grille (A) et de la couche d'isolation de grille (B) entre l'électrode de grille et la couche semi-conductrice organique. Une des faces de la couche d'isolation de grille (B) est en contact avec la couche semi-conductrice organique. Ladite couche d'isolation de grille (B) contient un composé polymère réticulé possédant au moins une sorte d'atomes choisie dans un groupe constitué d'un atome de silicium et d'un atome de fluor. La permittivité diélectrique relative de ladite couche d'isolation de grille (A), est supérieure de 0,5 ou plus à la permittivité diélectrique relative de ladite couche d'isolation de grille (B).
(JA) 層間の密着性に優れ、大きなソースドレイン電流が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。ゲート電極と、ゲート絶縁層(A)と、ゲート絶縁層(B)と、有機半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える有機薄膜トランジスタであって、ゲート電極と有機半導体層との間にゲート絶縁層(A)とゲート絶縁層(B)とを備え、ゲート絶縁層(B)の一方の面は有機半導体層に隣接し、前記ゲート絶縁層(B)が、ケイ素原子およびフッ素原子からなる群より選ばれる一種以上の原子を有する架橋高分子化合物を含む層であり、前記ゲート絶縁層(A)の比誘電率が、ゲート絶縁層(B)の比誘電率より0.5以上高い有機薄膜トランジスタ。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)