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1. (WO2019065049) 電源IC
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国際公開番号: WO/2019/065049 国際出願番号: PCT/JP2018/031757
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 28.08.2018
IPC:
H02M 3/155 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 23/50 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
3
直流入力一直流出力変換
02
中間に交流変換をもたないもの
04
静止型変換器によるもの
10
制御電極を有する放電管または制御電極を有する半導体装置を使用するもの
145
制御信号の連続的印加を必要とする三極管またはトランジスタ型式の装置を用いるもの
155
半導体装置のみを用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
50
集積回路装置用
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
06
複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585, JP
発明者:
名手 智 NATE Satoru; JP
佐藤 好則 SATO Yoshinori; JP
代理人:
特許業務法人 佐野特許事務所 SANO PATENT OFFICE; 大阪府大阪市中央区天満橋京町2-6天満橋八千代ビル別館5F 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032, JP
優先権情報:
2017-18817128.09.2017JP
2017-18818128.09.2017JP
発明の名称: (EN) POWER SUPPLY IC
(FR) CI D’ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
(JA) 電源IC
要約:
(EN) This power supply IC 100 is a semiconductor integrated circuit device serving as a main part for controlling a switching power supply and is formed by integrating a feedback resistor 201 and an output feedback control unit 202 on a single semiconductor substrate 200, said feedback resistor 201 generating a feedback voltage by dividing the output voltage of the switching power supply (or the induced voltage appearing across an auxiliary winding provided on the primary side of a transformer included in an insulation-type switching power supply), said output feedback control unit 202 performing output feedback control of the switching power supply in accordance with the feedback voltage. The feedback resistor 201 is a polysilicon resistor having a withstand voltage of 100 V or more. A high-voltage region 203 having higher withstand voltage in the substrate thickness direction than the other region is formed in the semiconductor substrate 200, and the feedback resistor 201 is formed on the high-voltage region 203. The high-voltage region 203 is, for example, an LDMOSFET region.
(FR) La présente invention concerne un CI d’alimentation électrique (100) qui est un dispositif à circuit intégré semi-conducteur servant de partie principale de commande d’une alimentation électrique à commutation et qui est formé en intégrant une résistance rétroactive (201) et une unité de commande rétroactive de sortie (202) sur un seul substrat semi-conducteur (200), ladite résistance rétroactive (201) générant une tension rétroactive en divisant la tension de sortie de l’alimentation électrique à commutation (ou la tension induite apparaissant à travers un enroulement auxiliaire disposé du côté primaire d’un transformateur inclus dans une alimentation électrique à commutation de type à isolation), ladite unité de commande rétroactive de sortie (202) procédant à une commande rétroactive de sortie de l’alimentation électrique à commutation en fonction de la tension rétroactive. La résistance rétroactive (201) est une résistance en polysilicium dont la tension de résistance est supérieure ou égale à 100 V. Une zone à haute tension (203) dont la tension de résistance est supérieure dans la direction de l’épaisseur du substrat à celle de l’autre zone est formée dans le substrat semi-conducteur (200), et la résistance rétroactive (201) est formée sur la zone à haute tension (203). La zone à haute tension (203) est, par exemple, une zone de LDMOSFET.
(JA) 電源IC100は、スイッチング電源の制御主体となる半導体集積回路装置であり、スイッチング電源の出力電圧(または絶縁型スイッチング電源に含まれるトランスの一次側に設けられた補助巻線に現れる誘起電圧)を分圧して帰還電圧を生成する帰還抵抗201と、帰還電圧に応じてスイッチング電源の出力帰還制御を行う出力帰還制御部202と、を単一の半導体基板200に集積化して成る。帰還抵抗201は、100V以上の耐圧を持つポリシリコン抵抗である。半導体基板200には、その他の領域よりも基板厚さ方向の耐圧が高い高耐圧領域203が形成されており、帰還抵抗201は、高耐圧領域203上に形成されている。高耐圧領域203は、例えば、LDMOSFET領域である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)