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1. WO2019065049 - 電源IC

公開番号 WO/2019/065049
公開日 04.04.2019
国際出願番号 PCT/JP2018/031757
国際出願日 28.08.2018
IPC
H02M 3/155 2006.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
3直流入力一直流出力変換
02中間に交流変換をもたないもの
04静止型変換器によるもの
10制御電極を有する放電管または制御電極を有する半導体装置を使用するもの
145制御信号の連続的印加を必要とする三極管またはトランジスタ型式の装置を用いるもの
155半導体装置のみを用いるもの
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/8234 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 23/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
50集積回路装置用
H01L 27/06 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 29/78 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
CPC
H01L 23/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
50for integrated circuit devices, ; e.g. power bus, number of leads
H01L 27/0629
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0629in combination with diodes, or resistors, or capacitors
H01L 28/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
20Resistors
H01L 29/0696
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0684characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
0692Surface layout
0696of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
H01L 29/1045
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
1025Channel region of field-effect devices
1029of field-effect transistors
1033with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
1041with a non-uniform doping structure in the channel region surface
1045the doping structure being parallel to the channel length, e.g. DMOS like
H01L 29/402
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
402Field plates
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 名手 智 NATE Satoru
  • 佐藤 好則 SATO Yoshinori
代理人
  • 特許業務法人 佐野特許事務所 SANO PATENT OFFICE
優先権情報
2017-18817128.09.2017JP
2017-18818128.09.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER SUPPLY IC
(FR) CI D’ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
(JA) 電源IC
要約
(EN) This power supply IC 100 is a semiconductor integrated circuit device serving as a main part for controlling a switching power supply and is formed by integrating a feedback resistor 201 and an output feedback control unit 202 on a single semiconductor substrate 200, said feedback resistor 201 generating a feedback voltage by dividing the output voltage of the switching power supply (or the induced voltage appearing across an auxiliary winding provided on the primary side of a transformer included in an insulation-type switching power supply), said output feedback control unit 202 performing output feedback control of the switching power supply in accordance with the feedback voltage. The feedback resistor 201 is a polysilicon resistor having a withstand voltage of 100 V or more. A high-voltage region 203 having higher withstand voltage in the substrate thickness direction than the other region is formed in the semiconductor substrate 200, and the feedback resistor 201 is formed on the high-voltage region 203. The high-voltage region 203 is, for example, an LDMOSFET region.
(FR) La présente invention concerne un CI d’alimentation électrique (100) qui est un dispositif à circuit intégré semi-conducteur servant de partie principale de commande d’une alimentation électrique à commutation et qui est formé en intégrant une résistance rétroactive (201) et une unité de commande rétroactive de sortie (202) sur un seul substrat semi-conducteur (200), ladite résistance rétroactive (201) générant une tension rétroactive en divisant la tension de sortie de l’alimentation électrique à commutation (ou la tension induite apparaissant à travers un enroulement auxiliaire disposé du côté primaire d’un transformateur inclus dans une alimentation électrique à commutation de type à isolation), ladite unité de commande rétroactive de sortie (202) procédant à une commande rétroactive de sortie de l’alimentation électrique à commutation en fonction de la tension rétroactive. La résistance rétroactive (201) est une résistance en polysilicium dont la tension de résistance est supérieure ou égale à 100 V. Une zone à haute tension (203) dont la tension de résistance est supérieure dans la direction de l’épaisseur du substrat à celle de l’autre zone est formée dans le substrat semi-conducteur (200), et la résistance rétroactive (201) est formée sur la zone à haute tension (203). La zone à haute tension (203) est, par exemple, une zone de LDMOSFET.
(JA) 電源IC100は、スイッチング電源の制御主体となる半導体集積回路装置であり、スイッチング電源の出力電圧(または絶縁型スイッチング電源に含まれるトランスの一次側に設けられた補助巻線に現れる誘起電圧)を分圧して帰還電圧を生成する帰還抵抗201と、帰還電圧に応じてスイッチング電源の出力帰還制御を行う出力帰還制御部202と、を単一の半導体基板200に集積化して成る。帰還抵抗201は、100V以上の耐圧を持つポリシリコン抵抗である。半導体基板200には、その他の領域よりも基板厚さ方向の耐圧が高い高耐圧領域203が形成されており、帰還抵抗201は、高耐圧領域203上に形成されている。高耐圧領域203は、例えば、LDMOSFET領域である。
関連特許文献
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