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1. (WO2019065017) ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/065017 国際出願番号: PCT/JP2018/031212
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 23.08.2018
IPC:
G03F 7/039 (2006.01) ,C08F 212/04 (2006.01) ,C08F 220/22 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/38 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
212
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の共重合体
02
1個の不飽和脂肪族基をもつ単量体
04
1個の環を含有するもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
22
ハロゲンを含有するエステル
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
38
画像様除去前の処理,例.予熱
出願人:
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
発明者:
星野 学 HOSHINO Manabu; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
2017-19162029.09.2017JP
発明の名称: (EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION, RESIST FILM FORMATION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE POSITIVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRATIFIÉ
(JA) ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法
要約:
(EN) Provided are a positive resist composition, etc., said positive resist composition being capable of improving the adhesiveness of a resist film, which is formed via a prebake step performed at a broader range of heating temperatures over a broader range of heating times (heating temperatures in a range at the lower temperature side), to a workpiece and reducing the molecular weight change in a polymer in the resist film before and after the prebake step. The positive resist composition according to the present invention comprises a polymer and a solvent, wherein the polymer comprises monomer unit (A) represented by general formula (I) and monomer unit (B) represented by general formula (II), and the solvent is at least one member selected from the group consisting of isoamyl acetate, n-butyl formate, isobutyl formate, n-amyl formate and isoamyl formate.
(FR) L'invention concerne une composition de réserve positive, etc., ladite composition de réserve positive permettant d'améliorer l'adhésivité d'un film de réserve qui est formé par l'intermédiaire d'une étape de pré-cuisson appliquée sur une pièce à une plage plus étendue de températures de chauffage sur une plage plus étendue de temps de chauffage (températures de chauffage dans une plage au niveau du côté de température inférieure), et permettant de réduire le changement de masse moléculaire dans un polymère dans le film de réserve avant et après l'étape de pré-cuisson. La composition de réserve positive selon la présente invention comprend un polymère et un solvant, le polymère comprenant un motif monomère (A) représenté par la formule générale (I) et un motif monomère (B) représenté par la formule générale (II), et le solvant étant au moins un élément choisi dans le groupe constitué par l'acétate d'isoamyle, le formiate de n-butyle, le formiate d'isobutyle, le formiate de n-amyle et le formiate d'isoamyle.
(JA) より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるポジ型レジスト組成物等を提供する。本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記重合体は、下記一般式(I)で表される単量体単位(A)と、下記一般式(II)で表される単量体単位(B)とを有し、前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸n-ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n-アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)