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1. (WO2019064970) パターン形成方法、イオン注入方法、固体撮像素子の製造方法、多層レジスト膜、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
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国際公開番号: WO/2019/064970 国際出願番号: PCT/JP2018/030171
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 13.08.2018
IPC:
G03F 7/095 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
095
2つ以上の感光層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
西田 陽一 NISHIDA Yoichi; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
畠山 直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2017-19025829.09.2017JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD, ION IMPLANTATION METHOD, METHOD FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, MULTILAYER RESIST FILM, AND ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ D'IMPLANTATION IONIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, FILM DE RÉSERVE MULTICOUCHE, ET COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE OU RADIOSENSIBLE ACTIVE
(JA) パターン形成方法、イオン注入方法、固体撮像素子の製造方法、多層レジスト膜、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
要約:
(EN) Provided is a pattern forming method which is capable of forming a pattern that has excellent resolution, while exhibiting excellent shielding performance during ion implantation. Also provided are an ion implantation method and a method for producing a solid-state imaging element, each of which uses the above-described pattern forming method. Also provided are a multilayer resist film and an active light sensitive or radiation sensitive resin composition, each of which is used in the above-described pattern forming method. This pattern forming method comprises: a step for forming, on a substrate, a multilayer resist film which comprises a first resist film having a film thickness of 5 μm or more and a second resist film that is arranged on the first resist film and has a higher film density than the first resist film; a light exposure step for exposing the multilayer resist film to light; and a development step for developing the light-exposed multilayer resist film.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif qui est capable de former un motif qui présente une excellente résolution, tout en présentant une excellente performance de blindage pendant l'implantation ionique. L'invention concerne également un procédé d'implantation ionique et un procédé de production d'un élément d'imagerie à semi-conducteur, dont chacun utilise le procédé de formation de motif décrit ci-dessus. L'invention concerne également un film de réserve multicouche et une composition de résine photosensible ou radiosensible active, dont chacun est utilisée dans le procédé de formation de motif décrit ci-dessus. Ce procédé de formation de motif comprend : une étape de formation, sur un substrat, d'un film de réserve multicouche qui comprend un premier film de réserve ayant une épaisseur de film de 5 µm ou plus et un second film de réserve qui est disposé sur le premier film de réserve et qui présente une densité de film supérieure à celle du premier film de réserve ; une étape d'exposition à la lumière pour exposer le film de réserve multicouche à la lumière ; et une étape de développement pour développer le film de réserve multicouche exposé à la lumière.
(JA) 解像性に優れ、且つ、イオン注入時の遮蔽性能に優れたパターンを形成できるパターン形成方法を提供する。また、上記パターン形成方法を用いたイオン注入方法、及び固体撮像素子の製造方法を提供する。また、上記パターン形成方法に用いられる多層レジスト膜、及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。パターン形成方法は、基板上に、膜厚5μm以上の第1のレジスト膜と、上記第1のレジスト膜上に配置され、上記第1のレジスト膜よりも膜密度の高い第2のレジスト膜と、を含む多層レジスト膜を形成する工程と、上記多層レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記多層レジスト膜を現像する現像工程と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)