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1. (WO2019064961) 感光性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/064961 国際出願番号: PCT/JP2018/030050
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 10.08.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C07D 263/56 (2006.01) ,C07D 263/57 (2006.01) ,C07D 263/60 (2006.01) ,C07D 277/62 (2006.01) ,C07D 277/66 (2006.01) ,C07D 277/84 (2006.01) ,C08F 20/10 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
263
1,3―オキサゾールまたは水素添加した1,3―オキサゾール環を含有する複素環式化合物
52
炭素環または環系と縮合したもの
54
ベンズオキサゾール;水素添加したベンズオキサゾール
56
2位に,水素原子,炭化水素基または置換炭化水素基のみが直接結合したもの
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
263
1,3―オキサゾールまたは水素添加した1,3―オキサゾール環を含有する複素環式化合物
52
炭素環または環系と縮合したもの
54
ベンズオキサゾール;水素添加したベンズオキサゾール
56
2位に,水素原子,炭化水素基または置換炭化水素基のみが直接結合したもの
57
アリルまたは置換アリル基
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
263
1,3―オキサゾールまたは水素添加した1,3―オキサゾール環を含有する複素環式化合物
52
炭素環または環系と縮合したもの
60
ナフトオキサゾール;水素添加したナフトオキサゾール
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
277
1,3―チアゾールまたは水素添加した1,3―チアゾール環を含有する複素環式化合物
60
炭素環または環系と縮合したもの
62
ベンゾチアゾール
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
277
1,3―チアゾールまたは水素添加した1,3―チアゾール環を含有する複素環式化合物
60
炭素環または環系と縮合したもの
62
ベンゾチアゾール
64
2位に炭化水素基または置換炭化水素基のみが結合したもの
66
2位に芳香環または環系が直接結合したもの
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
277
1,3―チアゾールまたは水素添加した1,3―チアゾール環を含有する複素環式化合物
60
炭素環または環系と縮合したもの
84
ナフトチアゾール
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
20
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
丸茂 和博 MARUMO Kazuhiro; JP
丹呉 直紘 TANGO Naohiro; JP
西尾 亮 NISHIO Ryo; JP
▲高▼田 暁 TAKADA Akira; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2017-19083529.09.2017JP
発明の名称: (EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感光性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided are: a photosensitive resin composition having high tolerance for focus depth in the formation of a punched pattern; a resist film which is a solidified product of the photosensitive resin composition; a method for forming a pattern using the resist film; and a method for producing an electronic device using the resist film. The photosensitive resin composition contains a resin having a constituent unit having an acid-degradable group, a photo-acid generator, a solvent and a compound represented by formula D. In formula D, XD represents an O atom or an S atom; R1D represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group, an acyl group, an acyloxy group or an alkoxycarbonyl group; R2D represents a substituent; nD represents an integer of 0 to 4 inclusive; and at least two R2D's may be bound to each other to form a ring.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine photosensible ayant une tolérance élevée à la profondeur de focalisation dans la formation d'un motif perforé ; un film de réserve qui est un produit solidifié de la composition de résine photosensible ; un procédé de formation d'un motif à l'aide du film de réserve ; et un procédé de production d'un dispositif électronique à l'aide du film de réserve. La composition de résine photosensible contient une résine présentant un motif constitutif ayant un groupe dégradable par un acide, un générateur de photo-acide, un solvant et un composé représenté par la formule D. Dans la formule D, XD représente un atome O ou un atome S ; R1D représente un atome d'hydrogène, un groupe hydrocarboné, un groupe acyle, un groupe acyloxy ou un groupe alcoxycarbonyle ; R2D représente un substituant ; nD représente un nombre entier allant de 0 à 4 inclus ; et au moins deux R2D peuvent être liés l'un à l'autre afin de former un cycle.
(JA) 抜きパターンの形成時における焦点深度の許容度が大きい感光性樹脂組成物、上記感光性樹脂組成物の固化物であるレジスト膜、上記レジスト膜によるパターン形成方法、及び、上記レジスト膜による電子デバイスの製造方法を提供する。感光性樹脂組成物は、酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、光酸発生剤、溶剤、及び、式Dで表される化合物を含む。式D中、XはO原子又はS原子を表し、R1Dは水素原子、炭化水素基、アシル基、アシルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表し、R2Dは、置換基を表し、nDは0以上4以下の整数を表し、2以上のR2Dが結合して環を形成していてもよい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)