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1. (WO2019064874) 電力変換装置
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国際公開番号: WO/2019/064874 国際出願番号: PCT/JP2018/028189
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 27.07.2018
IPC:
H02M 1/08 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
08
静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
発明者:
難波 明博 NAMBA Akihiro; JP
平尾 高志 HIRAO Takashi; JP
大西 正己 OONISHI Masami; JP
代理人:
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
優先権情報:
2017-18940429.09.2017JP
発明の名称: (EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
要約:
(EN) The present invention suppresses a size increase of a control signal substrate, while suppressing current unbalance of control signals to be transmitted to power semiconductors. A power conversion device relating to the present invention is provided with: a first power semiconductor element; a second power semiconductor element; and a circuit board having a circuit for transmitting drive signals of the first power semiconductor element and the second power semiconductor element. The circuit board has: first emitter wiring formed in the direction in which the first power semiconductor element and the second power semiconductor element are arrayed; and a first gate resistor, which is provided with first gate wiring that is disposed between the first power semiconductor element and the first emitter wiring, second gate wiring that is disposed between the second power semiconductor element and the emitter wiring, and third gate wiring that is disposed facing the first gate wiring and the second gate wiring by having the emitter wiring therebetween, said first gate resistor connecting the first gate wiring and the third gate wiring to each other across the first emitter wiring.
(FR) La présente invention supprime une augmentation de taille d'un substrat pour signaux de commande, tout en supprimant un déséquilibre de courant de signaux de commande devant être transmis à des semi-conducteurs de puissance. Un dispositif de conversion de puissance selon la présente invention comprend : un premier élément à semi-conducteur de puissance ; un deuxième élément à semi-conducteur de puissance ; et une carte de circuit imprimé comportant un circuit pour transmettre des signaux de pilotage du premier élément à semi-conducteur de puissance et du deuxième élément à semi-conducteur de puissance. La carte de circuit imprimé comprend : un premier câblage d'émetteur formé dans la direction dans laquelle le premier élément à semi-conducteur de puissance et le deuxième élément à semi-conducteur de puissance sont alignés ; et une première résistance de grille, qui est pourvue d'un premier câblage de grille qui est disposé entre le premier élément à semi-conducteur de puissance et le premier câblage d'émetteur, d'un deuxième câblage de grille qui est disposé entre le deuxième élément à semi-conducteur de puissance et le câblage d'émetteur, et d'un troisième câblage de grille qui est disposé en regard du premier câblage de grille et du deuxième câblage de grille en ayant le câblage d'émetteur entre eux, ladite première résistance de grille connectant le premier câblage de grille et le troisième câblage de grille l'un à l'autre d'un côté à l'autre du premier câblage d'émetteur.
(JA) 各パワー半導体に伝送する制御信号の電流アンバランスを抑制しながら制御信号基板の大型化を抑制することである。 本発明に係る電力変換装置は、第1パワー半導体素子と、第2パワー半導体素子と、前記第1パワー半導体素子及び前記第2パワー半導体素子の駆動信号を伝達する回路を有する回路基板とを備え、前記回路基板は、前記第1パワー半導体素子と前記第2パワー半導体素子の配列方向に沿って形成される第1エミッタ配線と、前記第1パワー半導体素子と前記第1エミッタ配線との間に配置される第1ゲート配線と、前記第2パワー半導体素子と前記エミッタ配線との間に配置される第2ゲート配線と、前記エミッタ配線を挟んで前記第1ゲート配線及び前記第2ゲート配線と対抗して配置される第3ゲート配線と、を備え、前記第1エミッタ配線を跨いで前記第1ゲート配線と前記第3ゲート配線を接続する第1ゲート抵抗と、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)