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1. (WO2019064873) パワー半導体装置
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国際公開番号: WO/2019/064873 国際出願番号: PCT/JP2018/028187
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 27.07.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
発明者:
西原 淳夫 NISHIHARA Atsuo; JP
平尾 高志 HIRAO Takashi; JP
代理人:
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
優先権情報:
2017-18940229.09.2017JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体装置
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to reduce the size of a power semiconductor device and improve the reliability thereof. A first opening size of a flow path joined to a front surface of a power module is created with a small tolerance so as to match the size of a first heat dissipation base. A second opening size of a flow path joined to a rear surface of the power module is created to be large so as to be able to absorb the tolerance of a front/rear heat dissipation base in the surface direction. In addition, an outside surface of the first heat dissipation base and an inside surface of the first opening are inserted while being substantially abutted onto each other, and a second heat dissipation base is assembled with a principal surface thereof and an outer surface of the flow path being abutted onto each other.
(FR) L'objet de la présente invention est de réduire davantage la taille d'un dispositif à semi-conducteur de puissance et d'améliorer sa fiabilité. Une première taille d'ouverture d'un trajet de circulation reliée à une surface avant d'un module d'alimentation est créée avec une faible tolérance de manière à correspondre à la taille d'une première base de dissipation de chaleur. Une seconde taille d'ouverture d'un trajet de circulation reliée à une surface arrière du module d'alimentation est créée de manière à être grande afin de pouvoir absorber la tolérance d'une base de dissipation de chaleur avant/arrière dans le sens de la surface. De plus, une surface extérieure de la première base de dissipation de chaleur et une surface intérieure de la première ouverture sont insérées tout en étant sensiblement en butée l'une sur l'autre, et une seconde base de dissipation de chaleur est assemblée, sa surface principale et une surface externe du trajet de circulation étant en butée l'une sur l'autre.
(JA) パワー半導体装置の小型化を図るとともに信頼性を向上させることである。パワーモジュールの表面に接合される流路の第1開口サイズを第1放熱ベースのサイズと合わせた小さい公差で作成し、裏面に接合される流路の第2開口サイズは表裏放熱ベースの面方向公差を吸収できるように大きく作成する。その上で第1放熱ベースの外側面と第1開口の内側面をほぼ突き当てた形で挿入し、第2放熱ベースはその主面と流路の外面を突き当てた状態で組み立てる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)