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1. (WO2019064744) 表示装置
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国際公開番号: WO/2019/064744 国際出願番号: PCT/JP2018/023622
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 21.06.2018
IPC:
G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
出願人:
株式会社ジャパンディスプレイ JAPAN DISPLAY INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋三丁目7番1号 3-7-1 Nishi-shinbashi, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
発明者:
神谷 哲仙 KAMIYA Akinori; JP
代理人:
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; 東京都大田区蒲田5-24-2 損保ジャパン日本興亜蒲田ビル9階 Sonpo Japan Nipponkoa Kamata Building 9F, 5-24-2 Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052, JP
優先権情報:
2017-18847328.09.2017JP
発明の名称: (EN) DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置
要約:
(EN) This display device is provided with: a substrate having a display region; and a plurality of pixels arrayed in the display region of the substrate. Each of the pixels includes a light emitting element, first transistor, second transistor, first insulating layer, and second insulating layer. The first transistor has a silicon layer, the second transistor has an oxide semiconductor layer that is disposed above the first insulating layer, and the first insulating layer includes a silicon oxide layer. Over the display region, the first insulating layer is disposed in common to the pixels, said first insulating layer being between the silicon layer and the oxide semiconductor layer, the second insulating layer includes diamond-like carbon, and the second insulating layer is disposed between the first insulating layer and a channel region of the second transistor.
(FR) L’invention concerne un dispositif d'affichage comprenant : un substrat possédant une zone d'affichage ; et une pluralité de pixels disposés en réseau dans la zone d'affichage du substrat. Chacun des pixels comprend un élément électroluminescent, un premier transistor, un second transistor, une première couche isolante et une seconde couche isolante. Le premier transistor possède une couche de silicium, le second transistor possède une couche semi-conductrice d'oxyde disposée au-dessus de la première couche isolante, et la première couche isolante comprend une couche d'oxyde de silicium. Sur la zone d'affichage, la première couche isolante est disposée en commun aux pixels, ladite première couche isolante étant située entre la couche de silicium et la couche semi-conductrice d'oxyde, la seconde couche isolante comprend du carbone de type diamant, et la seconde couche isolante est disposée entre la première couche isolante et une zone de canal du second transistor.
(JA) 表示装置は、表示領域を有する基板と、基板の表示領域に配列された複数の画素と、を備え、複数の画素の各々は、発光素子、第1トランジスタ、第2トランジスタ、第1絶縁層、及び第2絶縁層を含み、第1トランジスタは、シリコン層を有し、第2トランジスタは、第1絶縁層よりも上層に配置された酸化物半導体層を有し、第1絶縁層は、酸化シリコン層を含み、第1絶縁層は、シリコン層と、酸化物半導体層との間に、複数の画素に共通して表示領域に亘って配置され、第2絶縁層は、ダイヤモンドライクカーボンを含み、第2絶縁層は、第2トランジスタのチャネル領域と、第1絶縁層との間に配置される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)