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1. (WO2019064506) 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法
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国際公開番号: WO/2019/064506 国際出願番号: PCT/JP2017/035529
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 29.09.2017
IPC:
C23F 1/18 (2006.01) ,C23F 1/26 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
14
水溶液組成物
16
酸性組成物
18
銅または銅合金をエッチングするためのもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
10
エッチング組成物
14
水溶液組成物
16
酸性組成物
26
耐火金属をエッチングするためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
白濱 祐二 SHIRAHAMA Yuji; --
着能 真 CHAKUNO Makoto; --
代理人:
廣幸 正樹 HIROKOH Masaki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ETCHING SOLUTION AND ETCHING CONCENTRATE FOR MULTILAYER FILM, AND ETCHING METHOD
(FR) SOLUTION DE GRAVURE ET CONCENTRÉ DE GRAVURE POUR FILM MULTICOUCHES ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法
要約:
(EN) Provided is an etching solution which is for etching a multilayer film composed of a copper layer having a large film thickness and a titanium base layer, and can be used even when the concentration of metal ions is 8,000 ppm or higher. The etching solution includes (a) hydrogen peroxide, (b) a fluorine ion supply source, (c) azoles, (d) a hydrogen peroxide stabilizer, (e) an organic acid, (f) amines, and (g) water, wherein a methane sulfonic acid and one organic acid among lactic acid, succinic acid, glutaric acid, and malonic acid are used as the organic acid, or lactic acid is used alone as the organic acid.
(FR) L'invention concerne une solution de gravure qui est destinée à la gravure d'un film multicouches composé d'une couche de cuivre ayant une grande épaisseur de film et d'une couche de base en titane et qui peut être utilisée même lorsque la concentration d'ions métalliques est supérieure ou égale à 8 000 ppm. La solution de gravure comprend (a) du peroxyde d'hydrogène, (b) une source d'apport d'ions fluor, (c) des azoles, (d) un stabilisant de peroxyde d'hydrogène, (e) un acide organique, (f) des amines et (g) de l'eau, un acide méthanesulfonique et un acide organique parmi l'acide lactique, l'acide succinique, l'acide glutarique et l'acide malonique étant utilisés en tant qu'acide organique ou l'acide lactique étant utilisé seul en tant qu'acide organique.
(JA) 膜厚の厚い銅層と下地のチタン層の多層膜をエッチングするエッチング液で、金属イオン濃度が8,000ppm以上でも使用することができるエッチング液を提供する。 (a)過酸化水素と、(b)フッ素イオン供給源と、(c)アゾール類と、(d)過酸化水素安定剤と、(e)有機酸と、(f)アミン類と、(g)水を含み、前記有機酸はメタンスルホン酸と、乳酸、コハク酸、グルタル酸、マロン酸のうち一種の有機酸若しくは、乳酸単独で用いられるエッチング液。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)