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1. (WO2019064496) 走査電子顕微鏡
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/064496 国際出願番号: PCT/JP2017/035499
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 29.09.2017
IPC:
H01J 37/244 (2006.01) ,H01J 37/05 (2006.01) ,H01J 37/12 (2006.01) ,H01J 37/141 (2006.01) ,H01J 37/147 (2006.01) ,H01J 37/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
244
検出器;関連の構成要素またはそのための回路
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
05
電子またはイオンをそれらのエネルギーに応じて分離するための電子光学的またはイオン光学的装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
10
レンズ
12
静電的なもの
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
10
レンズ
14
磁気的なもの
141
電磁レンズ
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
147
希望する通路に沿って放電を直進しまたは偏向するための装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
26
電子またはイオン顕微鏡;電子またはイオン回折管
28
走査ビームを有するもの
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
森下 英郎 MORISHITA Hideo; JP
揚村 寿英 AGEMURA Toshihide; JP
代理人:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SCANNING ELECTRON MICROSCOPE
(FR) MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE
(JA) 走査電子顕微鏡
要約:
(EN) Provided is a scanning electron microscope not employing a deceleration method, wherein the scanning electron microscope suppresses the detection amount of SE3 excited due to BSE and is equipped with an energy selection/detection function for SE1 generated on a sample. The scanning electron microscope has: an electron optical system having an electron source (21) for generating an irradiating electron beam and an objective lens (12) for focusing the irradiating electron beam on a sample; a detector (13) disposed outside the optical axis of the electron optical system and detecting signal electrons generated by irradiating the sample with the irradiating electron beam; a deflection electrode for forming a deflection field (26) for guiding the signal electrons to the detector; a disk-shaped electrode (23) disposed on the electron source side from the deflection field and having an opening portion allowing the irradiating electron beam to pass therethrough; and a control electrode disposed on the sample side from the deflection field along the optical axis. The sample and the objective lens are set to a reference potential. A potential lower than the reference potential is applied to the disk-shaped electrode. A potential higher than the reference potential is applied to the control electrode.
(FR) L'invention concerne un microscope électronique à balayage ne faisant pas appel à un procédé de décélération, le microscope électronique à balayage supprimant la quantité de détection de SE3 excité en raison de BSE et étant équipé d'une fonction de sélection/détection d'énergie pour SE1 généré sur un échantillon. Le microscope électronique à balayage comprend : un système optique électronique ayant une source d'électrons (21) pour générer un faisceau d’électrons d'irradiation et une lentille d'objectif (12) pour focaliser le faisceau d'électrons d'irradiation sur un échantillon ; un détecteur (13) disposé à l'extérieur de l'axe optique du système optique électronique et détectant des électrons de signaux générés par l'irradiation de l'échantillon par le faisceau d'électrons d'irradiation ; une électrode de déviation pour former un champ de déviation (26) pour guider les électrons de signaux vers le détecteur ; une électrode en forme de disque (23) disposée sur le côté de source d'électrons à partir du champ de déviation et ayant une partie d'ouverture permettant au faisceau d'électrons d'irradiation de passer à travers celle-ci ; et une électrode de commande disposée sur le côté d'échantillon à partir du champ de déviation le long de l'axe optique. L'échantillon et la lentille d'objectif sont fixés à un potentiel de référence. Un potentiel inférieur au potentiel de référence est appliqué à l'électrode en forme de disque. Un potentiel supérieur au potentiel de référence est appliqué à l'électrode de commande.
(JA) 減速法を適用しない走査電子顕微鏡において、BSE に起因して励起されるSE3 の検出量を抑制し、試料上で発生したSE1 に対するエネルギー選別検出機能を備えた走査電子顕微鏡を提供する。照射電子線を発生する電子源(21)と、照射電子線を試料上に集束させる対物レンズ(12)とを有する電子光学系と、電子光学系の光軸外に配置され、照射電子線が試料に照射されることにより発生する信号電子を検出する検出器(13)と、信号電子を検出器に導く偏向場(26)を形成する偏向電極と、偏向場よりも電子源側に配置され、照射電子線を通過させる開口部を有する円盤状電極(23)と、偏向場よりも試料側に光軸に沿って配置される制御電極とを有し、試料及び対物レンズは基準電位とされ、円盤状電極には基準電位よりも低い電位が印加され、制御電極には基準電位よりも高い電位が印加される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)