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1. (WO2019064434) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
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国際公開番号: WO/2019/064434 国際出願番号: PCT/JP2017/035241
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 28.09.2017
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
堀田 將 HORITA, Susumu; JP
堀井 貞義 HORII, Sadayoshi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
要約:
(EN) Provided is a technique comprising a first step of supplying a first processing gas containing hydrogen peroxide to a substrate having a silicon-containing film formed on the surface thereof, to modify the silicon-containing film into a silicon oxide film, and a second step of supplying to the substrate, after the first step, a second processing gas containing a compound having an NH group, thereby modifying the silicon oxide film. The present technique allows the quality of substrate processing that is performed using hydrogen peroxide to be improved.
(FR) L'invention concerne une technique comprenant une première étape consistant à fournir un premier gaz de traitement contenant du peroxyde d'hydrogène à un substrat ayant un film contenant du silicium formé sur sa surface, pour modifier le film contenant du silicium en un film d'oxyde de silicium, et une seconde étape consistant à fournir au substrat, après la première étape, un second gaz de traitement contenant un composé ayant un groupe NH, ce qui permet de modifier le film d'oxyde de silicium. La présente technique permet d'améliorer la qualité de traitement de substrat qui est réalisé à l'aide de peroxyde d'hydrogène.
(JA) シリコン含有膜が表面に形成された基板に対して過酸化水素を含有する第1処理ガスを供給することにより、シリコン含有膜をシリコン酸化膜に改質する第1工程と、 第1工程の後、基板に対してNH基を有する化合物を含む第2処理ガスを供給することにより、シリコン酸化膜を改質する第2工程と、を有する技術を提供する。 本技術によれば、過酸化水素を用いて行う基板処理の品質を向上させることが可能となる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)