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1. (WO2019064417) 成膜方法及びそれを用いた表示装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/064417 国際出願番号: PCT/JP2017/035187
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 28.09.2017
IPC:
H05B 33/10 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/04 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
04
封止装置
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
平瀬 剛 HIRASE Takeshi; --
代理人:
特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS; 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番1号 新ダイビル23階 Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) FILM-FORMING METHOD AND DISPLAY DEVICE PRODUCTION METHOD USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE METTANT EN OEUVRE
(JA) 成膜方法及びそれを用いた表示装置の製造方法
要約:
(EN) This film-forming method includes introducing into a film-forming chamber (60) a gasified material (G) gasified from a liquid organic material (M) in a gasification chamber (50), and forming on the surface of a substrate (S) on which the film is to be formed accommodated in the interior of the film-forming chamber (60) a vapor-deposited film (F) comprising the gasified material (G), the film-forming being performed in a state wherein the internal temperature of the gasification chamber (50) is kept lower than the reaction temperature at which the organic material (M) polymerizes, the internal pressure of the gasification chamber (50) is kept at a saturation vapor pressure of the organic material (M), the internal temperature of the film-forming chamber (60) is set to be the same as the internal temperature of the gasification chamber (50), and the substrate (S) on which the film is to be formed is kept at a temperature lower than the internal temperature of the film-forming chamber (60).
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de film consistant à introduire dans une chambre de formation de film (60) un matériau gazéifié (G) qui a été gazéifié à partir d'un matériau organique liquide (M) dans une chambre de gazéification (50), et à former sur la surface d'un substrat (S) sur lequel doit être formé le film, reçu à l'intérieur de la chambre de formation de film (60), un film déposé en phase vapeur (F) comprenant le matériau gazéifié (G), la formation de film étant réalisée dans un état dans lequel la température interne de la chambre de gazéification (50) est maintenue inférieure à la température de réaction à laquelle le matériau organique (M) se polymérise, la pression interne de la chambre de gazéification (50) étant maintenue à une pression de vapeur de saturation du matériau organique (M), la température interne de la chambre de formation de film (60) étant réglée pour être identique à la température interne de la chambre de gazéification (50) et le substrat (S) sur lequel doit être formé le film étant maintenu à une température inférieure à la température interne de la chambre de formation de film (60).
(JA) 気化室(50)で液状の有機材料(M)から気化させた気化材料(G)を成膜室(60)に導入し、成膜室(60)の内部に収容した被成膜基板(S)の表面に気化材料(G)からなる蒸着膜(F)を成膜する成膜方法であって、気化室(50)の内部温度を有機材料(M)の重合する反応温度よりも低く保持し、気化室(50)の内部圧力を有機材料(M)の飽和蒸気圧に保持し、成膜室(60)の内部温度を気化室(50)の内部温度と同じにし、被成膜基板(S)を成膜室(60)の内部温度よりも低く保持した状態で成膜する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)