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1. (WO2019064414) 表示装置及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/064414 国際出願番号: PCT/JP2017/035177
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 28.09.2017
IPC:
G09F 9/30 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
斉藤 貴翁 SAITOH Takao; --
山中 雅貴 YAMANAKA Masaki; --
神崎 庸輔 KANZAKI Yohsuke; --
三輪 昌彦 MIWA Masahiko; --
金子 誠二 KANEKO Seiji; --
代理人:
特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS; 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番1号 新ダイビル23階 Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) DISPLAY DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 表示装置及びその製造方法
要約:
(EN) According to the present invention, at a bending part (B) of a frame region (F), at least one layer of inorganic insulating film constitutes a TFT layer and has formed therein an opening part (A) that passes through the inorganic insulating film and exposes an upper surface of a resin substrate (10). Frame wiring (12ea) is provided upon the resin substrate (10) as exposed by the opening part (A). Where the at least one layer of inorganic insulating film that constitutes the TFT layer contacts the upper surface of the resin substrate (10), the inorganic insulating film is formed from a silicon oxinitride film.
(FR) Selon la présente invention, au niveau d'une partie de flexion (B) d'une région de cadre (F), au moins une couche de film isolant inorganique constitue une couche de TFT et comprend une partie d'ouverture (A) qui traverse le film isolant inorganique et met à nu une surface supérieure d'un substrat de résine (10). Un câblage de cadre (12ea) est disposé sur le substrat de résine (10) et mis à nu par la partie d'ouverture (A). À l'emplacement où ladite couche de film isolant inorganique qui constitue la couche TFT entre en contact avec la surface supérieure du substrat de résine (10), le film isolant inorganique est constitué d'un film d'oxinitrure de silicium.
(JA) 額縁領域(F)の折り曲げ部(B)では、TFT層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜にその無機絶縁膜を貫通して樹脂基板(10)の上面を露出させる開口部(A)が形成され、額縁配線(12ea)は、開口部(A)から露出する樹脂基板(10)上に設けられ、TFT層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜のうち樹脂基板(10)の上面に接触する無機絶縁膜は、酸窒化シリコン膜により形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)