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1. (WO2019064342) 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
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国際公開番号: WO/2019/064342 国際出願番号: PCT/JP2017/034737
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 26.09.2017
IPC:
H01L 51/50 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01) ,H05B 33/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
三谷 昌弘 MITANI, Masahiro; --
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) DISPLAY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
要約:
(EN) An active-side slit (43) and an FPC-side slit (44) reach a first inorganic insulating film (18) by penetrating a second inorganic insulating film (20). In a plan view, the active-side slit (43) is formed between an IC chip mounting region (56) and an active region of an EL device (2), and the IC chip mounting region (56) is sandwiched between the active-side slit (43) and the FPC-side slit (44).
(FR) La présente invention concerne une fente côté actif (43) et une fente côté FPC (44) qui atteignent un premier film isolant inorganique (18) par pénétration d'un second film isolant inorganique (20). Dans une vue en plan, la fente côté actif (43) est formée entre une région de montage de puce CI (56) et une région active d'un dispositif EL (2), et la région de montage de puce CI (56) est prise en sandwich entre la fente côté actif (43) et la fente côté FPC (44).
(JA) アクティブ側スリット(43)およびFPC側スリット(44)は、各々、第2無機絶縁膜(20)を貫通して第1無機絶縁膜(18)に達している。平面視においては、アクティブ側スリット(43)が、ELデバイス(2)のアクティブ領域とICチップ搭載領域(56)との間に形成されるとともに、ICチップ搭載領域(56)は、アクティブ側スリット(43)およびFPC側スリット(44)によって挟まれている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)