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1. (WO2019063650) FLUID SENSOR
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国際公開番号: WO/2019/063650 国際出願番号: PCT/EP2018/076189
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 26.09.2018
予備審査請求日: 29.07.2019
IPC:
G01N 27/414 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
26
電気化学的変量の調査によるもの;電解または電気泳動の利用によるもの
403
セルと電極の組合せ
414
イオン感応性または化学的電界効果トランジスタ,例.ISFETSまたはCHEMFETS
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
発明者:
EISELE, Ignaz; DE
NEUMEIER, Karl; DE
HEIGL, Martin; DE
REISER, Daniel; DE
代理人:
HERSINA, Günter; DE
ZIMMERMANN, Tankred; DE
STÖCKELER, Ferdinand; DE
ZINKLER, Franz; DE
SCHENK, Markus; DE
BURGER, Markus; DE
SCHAIRER, Oliver; DE
PFITZNER, Hannes; DE
KÖNIG, Andreas; DE
SCHLENKER, Julian; DE
優先権情報:
10 2017 217 249.527.09.2017DE
発明の名称: (DE) FLUIDSENSOR
(EN) FLUID SENSOR
(FR) CAPTEUR DE FLUIDE
要約:
(DE) Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel umfasst ein Fluidsensor (100) ein Fluidsensorelement (20) mit einem Substrat (1') das eine Ausnehmung (10) zur Aufnahme eines zu untersuchenden Fluids aufweist, wobei das die Ausnehmung (10) umgebende Substrat (1') zumindest bereichsweise als eine Substratelektrode (1) ausgebildet ist, einer Isolationsschichtanordnung (2) zwischen einer Floating-Gate-Elektrode (4) eines Transistors (7) und der Substratelektrode (1), und einer Sensorschicht (6) in der Ausnehmung (10) und benachbart zu der Floating-Gate-Elektrode (4), einer Zusatzelektrode (3) an einem Öffnungsbereich (10-1) der Ausnehmung (10), wobei die Zusatzelektrode (3) elektrisch getrennt von der Sensorschicht (6), der Substratelektrode (1) und der Floating-Gate-Elektrode (4) angeordnet ist und mit einem Steuerpotential P8 verbunden oder verbindbar ist, und eine Verarbeitungseinrichtung (8), die ausgebildet ist, um das Steuerpotential P8 an der Zusatzelektrode (3) so bereitzustellen, dass im Betrieb des Fluidsensors (100) ein elektrisches Feld zwischen der Zusatzelektrode (3) und der Sensorschicht (6) zumindest reduziert oder kompensiert ist.
(EN) According to a further exemplary embodiment, a fluid sensor (100) comprises a fluid sensor element (20) having a substrate (1') which has a recess (10) for receiving a fluid to be examined, the substrate (1') surrounding the recess (10) being formed at least in regions as a substrate electrode (1), an insulation layer arrangement (2) between a floating gate electrode (4) of a transistor (7) and the substrate electrode (1), a sensor layer (6) in the recess (10) and adjacent to the floating gate electrode (4), an additional electrode (3) at an opening region (10-1) of the recess (10), wherein the additional electrode (3) is arranged so as to be electrically isolated from the sensor layer (6), the substrate electrode (1) and the floating gate electrode (4) and is connected or can be connected to a control potential P8, and a processing device (8) which is designed to provide the control potential P8 at the additional electrode (3) such that an electric field between the additional electrode (3) and the sensor layer (6) is at least reduced or compensated for during operation of the fluid sensor (100).
(FR) Selon un autre exemple de réalisation, un capteur de fluide (100) comprend un élément (20) pourvu d'un substrat (1') qui comporte un évidement (10) destiné à recevoir un fluide à examiner, le substrat (1') entourant l'évidement (10) étant réalisé au moins par endroits sous la forme d'une électrode de substrat (1), un ensemble de couches isolantes (2) entre une électrode de grille flottante (4) d'un transistor (7) et l'électrode de substrat (1), et une couche de capteur (6) placée dans l'évidement (10) et adjacente à l'électrode de grille flottante (4), une électrode supplémentaire (3) au niveau d'une zone d'ouverture (10-1) de l'évidement (10), l'électrode supplémentaire (3) étant séparée électriquement de la couche de capteur (6), de l'électrode de substrat (1) et de l'électrode de grille flottante (4) et étant ou pouvant être reliée à un potentiel de commande P8, et un dispositif de traitement (8) étant conçu pour fournir le potentiel de commande P8 à l'électrode supplémentaire (3) de sorte que, pendant le fonctionnement du capteur de fluide (100), un champ électrique entre l'électrode supplémentaire (3) et la couche de capteur (6) soit au moins réduit ou compensé.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: ドイツ語 (DE)
国際出願言語: ドイツ語 (DE)