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1. (WO2019063254) METHOD FOR DETERMINING PROPERTIES OF AN EUV SOURCE
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Patentansprüche

1. Verfahren zur Bestimmung mindestens einer Eigenschaft einer EUV-Quelle (3) in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, wobei die Eigenschaft anhand der von der EUV-Quelle (3) ausgehenden elektromagnetischen Strahlung (14) ermittelt wird,

dadurch gekennzeichnet, dass

eine Thermallast für eine Komponente (2) der Projektionsbelichtungsanlage (1) ermittelt wird und anhand der ermittelten Thermallast auf die Eigenschaft der Quelle (3) geschlossen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1 ,

dadurch gekennzeichnet, dass

es sich bei der Eigenschaft um eine Kontamination eines Kollektorspiegels der EUV-Quelle (3) handelt

3. Verfahren nach Anspruch 2,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Thermallast über eine beleuchtete Oberfläche einer Komponente (2) der Projektionsbelichtungsanlage (1) hinweg ermittelt wird und anhand der örtlichen Verteilung der ermittelten Thermallast auf die Verteilung der Kontamination geschlos- sen wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1.

dadurch gekennzeichnet, dass

es sich bei der Eigenschaft um die Änderung der mittleren Quellleistung über der Zeit handelt.

5. Verfahren nach Anspruch 1 ,

dadurch gekennzeichnet, dass

es sich bei der Eigenschaft um die absolute mittlere Quellleistung handelt.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Thermallast anhand einer Geometrieänderung mindestens eines Teiles (25) der Komponente (2) ermittelt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Geometrieänderung anhand der Änderung des Abstandes eines Positionssensors (30) von einem Sensortarget (31) ermittelt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7,

dadurch gekennzeichnet, dass

es sich bei der Komponente um einen Facettenspiegel (2) handelt.

9. Verfahren nach Anspruch 8,

dadurch gekennzeichnet,

dass es sich bei dem Facettenspiegel (21) um einen Feldfacettenspiegel handelt.

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9,

dadurch gekennzeichnet, dass

das Sensortarget (31) an einem Stößel (25) einer Spiegelfacette (21) angeordnet ist.

11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüchen,

dadurch gekennzeichnet, dass

das Verfahren während des Produktionsbetriebes der Projektionsbelichtungsan- läge (1) durchgeführt wird.