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1. (WO2019059102) 炭化珪素半導体基板を用いた半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/059102 国際出願番号: PCT/JP2018/034054
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 13.09.2018
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,G03F 9/00 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
9
原稿,マスク,フレーム,写真シート,表面構造または模様が作成された表面,の位置決めまたは位置合わせ,例.自動的なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
68
位置決め,方向決め,または整列のためのもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
発明者:
梶 愛子 KAJI Aiko; JP
箕谷 周平 MITANI Shuhei; JP
市川 治人 ICHIKAWA Haruhito; JP
竹内 有一 TAKEUCHI Yuichi; JP
渡辺 行彦 WATANABE Yukihiko; JP
成岡 英樹 NARUOKA Hideki; JP
代理人:
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
優先権情報:
2017-17950919.09.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À L'AIDE D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体基板を用いた半導体装置の製造方法
要約:
(EN) In the present invention, a silicon carbide semiconductor substrate (10) that is formed of silicon carbide monocrystals having a main surface in which an off-angle is disposed at the (0001) plane and having an off-direction of <11-20> is prepared; first trenches (12) are formed in the main surface; and an epitaxial layer, which is constituted of silicon carbide and has second trenches that follow the shape of the first trenches (12) formed in the main surface, is grown on the main surface. Moreover, for the first trench (12) formation, a plurality of the first trenches (12) having a longitudinal direction parallel to the off-direction and having rectangular openings, are formed perpendicular to the off-direction.
(FR) La présente invention concerne un procédé consistant à : préparer un substrat semi-conducteur au carbure de silicium (10) qui est formé de monocristaux de carbure de silicium ayant une surface principale dans laquelle un angle de décalage est disposé dans le plan (0001) et ayant une direction de décalage <11-20> ; former dans la surface principale de premières tranchées (12) ; et développer sur la surface principale une couche épitaxiée qui est constituée de carbure de silicium et comporte de secondes tranchées qui suivent la forme des premières tranchées (12) formées dans la surface principale. De plus, pour la formation de la première tranchée (12), une pluralité des premières tranchées (12) ayant une direction longitudinale parallèle à la direction de décalage et ayant des ouvertures rectangulaires, sont formées perpendiculairement à la direction de décalage.
(JA) (0001)面にオフ角が設けられている主表面を有すると共に、オフ方向が〈11-20〉である炭化珪素単結晶で構成された炭化珪素半導体基板(10)を用意することと、主表面に第1トレンチ(12)を形成することと、主表面の上に、当該主表面に形成された第1トレンチ(12)の形状を引き継ぐ第2トレンチを有する炭化珪素で構成されたエピタキシャル層を成長させることと、を行う。そして、第1トレンチ(12)を形成することでは、開口部が長方形状であって長手方向がオフ方向と平行とされた第1トレンチ(12)をオフ方向と直交する方向に沿って複数形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)