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1. (WO2019059050) 圧電薄膜素子
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国際公開番号: WO/2019/059050 国際出願番号: PCT/JP2018/033661
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 11.09.2018
IPC:
H01L 41/319 (2013.01) ,B81B 3/00 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31
圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
314
圧電層または電磁層の堆積による,例.エアロゾルまたはスクリーン印刷
319
下地膜を用いる方法,例.成長制御
B 処理操作;運輸
81
マイクロ構造技術
B
マイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置
3
可撓性の,または変形可能な要素,例.弾性のある舌片または薄膜,からなる装置
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
細部
04
圧電または電歪素子のもの
047
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16
材料の選択
18
圧電または電歪素子用
187
セラミック組成物
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
発明者:
木村 純一 KIMURA Junichi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
優先権情報:
2017-18272022.09.2017JP
発明の名称: (EN) PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電薄膜素子
要約:
(EN) Provided is a piezoelectric thin film element in which lattice mismatch between a piezoelectric thin film and a lower electrode layer (a first electrode layer) is reduced. The piezoelectric thin film element 10 is provided with a first electrode layer 6a and a piezoelectric thin film 2 layered directly on the first electrode layer 6a. The first electrode layer 6a contains an alloy comprising two or more types of metal elements. The first electrode layer 6a has a face-centered cubic lattice structure. The piezoelectric thin film 2 has a wurtzite structure.
(FR) Cette invention concerne un élément de film mince piézoélectrique dans lequel une inégalité des paramètres de maille entre un film mince piézoélectrique et une couche d'électrode inférieure (une première couche d'électrode) est réduite. L'élément de film mince piézoélectrique (10) est pourvu d'une première couche d'électrode (6a) et d'un film mince piézoélectrique (2) directement stratifié sur la première couche d'électrode (6a). La première couche d'électrode (6a) contient un alliage comprenant deux types ou plus d'éléments métalliques. La première couche d'électrode (6a) a une structure de maille cubique à face centrée. Le film mince piézoélectrique (2) a une structure wurtzite.
(JA) 圧電薄膜と下部電極層(第一電極層)との間の格子不整合が低減された圧電薄膜素子が提供される。圧電薄膜素子10は、第一電極層6aと、第一電極層6aに直接積層された圧電薄膜2と、を備え、第一電極層6aが、二種以上の金属元素から構成される合金を含み、第一電極層6aが、面心立方格子構造を有し、圧電薄膜2が、ウルツ鉱型構造を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)