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1. (WO2019059033) 半導体装置
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国際公開番号: WO/2019/059033 国際出願番号: PCT/JP2018/033551
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 11.09.2018
IPC:
H01L 23/473 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H05K 7/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
46
流動流体による熱の移動によるもの
473
液体を流すことによるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
7
異なる型の電気装置に共通の構造的細部
20
冷却,換気または加熱を容易にするための変形
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
関 晃輔 SEKI Kousuke; JP
加藤 祐作 KATO Yusaku; JP
柳川 周作 YANAGAWA Shusaku; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-18393125.09.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) The present technology relates to a semiconductor device which makes it possible to improve heat dissipating capability without causing fluctuations in high frequency characteristics. A glass substrate with a wiring layer is bonded to a glass substrate, and a heat dissipating part is formed between the glass substrate with the wiring layer and the glass substrate. The present disclosure can be applied to a high frequency module or a high-speed communication module, for example.
(FR) La présente technologie concerne un dispositif à semi-conducteur qui permet d'améliorer la capacité de dissipation de chaleur sans provoquer de fluctuations dans des caractéristiques haute fréquence. Un substrat en verre pourvu d'une couche de câblage est collé à un substrat en verre, et une partie de dissipation de chaleur est formée entre le substrat en verre pourvu de la couche de câblage et le substrat en verre. La présente invention peut être appliquée à un module haute fréquence ou à un module de communication à haut débit, par exemple.
(JA) 本技術は、高周波特性の変動を生じることなく、放熱能力を向上することができるようにする半導体装置に関する。 配線層付きガラス基板にガラス基板が貼り合わされ、配線層付きガラス基板とガラス基板との間に放熱部が形成されている。本開示は、例えば、高周波モジュールや高速通信モジュールに適用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)