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1. (WO2019059016) 電子デバイスおよびその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/059016 国際出願番号: PCT/JP2018/033378
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 10.09.2018
IPC:
H01L 51/44 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/04 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
44
装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
04
封止装置
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人:
国立研究開発法人理化学研究所 RIKEN [JP/JP]; 埼玉県和光市広沢2番1号 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198, JP
発明者:
福田 憲二郎 FUKUDA, Kenjiro; JP
シュー シャオミン XU, Xiaomin; JP
パク ソンジュン PARK, Sungjun; JP
染谷 隆夫 SOMEYA, Takao; JP
代理人:
佐貫 伸一 SANUKI, Shinichi; JP
和久田 純一 WAKUTA, Jun-ichi; JP
矢澤 広伸 YAZAWA, Hironobu; JP
丹羽 武司 NIWA, Takeshi; JP
優先権情報:
2017-17945219.09.2017JP
発明の名称: (EN) ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電子デバイスおよびその製造方法
要約:
(EN) This electronic device includes: an electronic device layer (20); and barrier layers disposed above the electronic device layer (20). The barrier layers include: a gas barrier layer (40); and a liquid repelling layer (30) disposed above or below the gas barrier layer (40).
(FR) La présente invention concerne un dispositif électronique comprenant : une couche de dispositif électronique (20) ; et des couches barrières disposées au-dessus de la couche de dispositif électronique (20). Les couches barrières comprennent : une couche barrière aux gaz (40) ; et une couche repoussant les liquides (30) disposée au-dessus ou au-dessous de la couche barrière aux gaz (40).
(JA) 本発明の電子デバイスは、電子デバイス層(20)と、前記電子デバイス層(20)の上に設けられたバリア層と、を有し、前記バリア層は、ガスバリア層(40)と、前記ガスバリア層(40)の上または下に設けられた撥液層(30)とを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)