このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019058994) 光電変換素子および撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/058994 国際出願番号: PCT/JP2018/033171
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 07.09.2018
IPC:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
齊藤 陽介 SAITO, Yosuke; JP
榎 修 ENOKI, Osamu; JP
竹村 一郎 TAKEMURA, Ichiro; JP
根岸 佑樹 NEGISHI, Yuki; JP
長谷川 雄大 HASEGAWA, Yuta; JP
氏家 康晴 UJIIE, Yasuharu; JP
中山 典一 NAKAYAMA, Norikazu; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2017-18055020.09.2017JP
2018-09190111.05.2018JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 光電変換素子および撮像装置
要約:
(EN) Provided are a photoelectric conversion element and an imaging device capable of improving heat resistance. A photoelectric conversion element of one embodiment of the present disclosure comprises: an anode; a cathode disposed opposed to the anode; a photoelectric conversion layer provided between the anode and the cathode; and an electron blocking layer provided between the anode and the photoelectric conversion layer and containing an organic semiconductor material represented by general formula (1).
(FR) Cette invention concerne un élément de conversion photoélectrique et un dispositif d'imagerie capables d'améliorer la résistance à la chaleur. Un élément de conversion photoélectrique selon un mode de réalisation de l'invention comprend : une anode ; une cathode disposée à l'opposé de l'anode ; une couche de conversion photoélectrique disposée entre l'anode et la cathode ; et une couche de blocage d'électrons disposée entre l'anode et la couche de conversion photoélectrique et contenant un matériau semi-conducteur organique représenté par la formule générale (1).
(JA) 耐熱性を向上させることが可能な光電変換素子および撮像装置を提供する。本開示の一実施形態の光電変換素子は、陽極と、陽極と対向配置された陰極と、陽極と陰極との間に設けられた光電変換層と、陽極と光電変換層との間に設けられると共に、一般式(1)で表される有機半導体材料を含む電子ブロック層とを備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)