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1. (WO2019058984) マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/058984 国際出願番号: PCT/JP2018/033015
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 06.09.2018
IPC:
G03F 1/32 (2012.01) ,G01N 23/2258 (2018.01) ,G03F 1/58 (2012.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32
減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
[IPC code unknown for G01N 23/2258]
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54
吸収材,例.不透明な材料
58
2つ以上の異なる吸収材層,例.積層された複数層の吸収材
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
前田 仁 MAEDA, Hitoshi; JP
宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki; JP
代理人:
池田 憲保 IKEDA, Noriyasu; JP
佐々木 敬 SASAKI, Takashi; JP
優先権情報:
2017-18130421.09.2017JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided is a mask blank 10 formed by stacking a phase shift film 2 made of a material consisting of silicon and nitrogen, a light shielding film 3, and a hard mask film 4 on a light transmissive substrate 1, said mask blank being configured such that when analyzing the phase shift film with secondary ion mass spectrometry and acquiring the secondary ion intensity distribution of silicon toward the depth of the phase shift film, the slope of the secondary ion strength [counts/sec] of the silicon is less than 150 [(counts/sec)/nm] relative to the depth [nm] in a direction toward the light transmissive substrate in the inner region of the phase shift film excluding the region near the substrate and the surface region.
(FR) L'invention concerne une ébauche de masque (10) formée par l'empilement d'un film de déphasage (2) en matériau constitué de silicium et d'azote, d'un film pare-lumière (3) et d'un film de masque dur (4) sur un substrat transmettant la lumière (1), ladite ébauche de masque étant configurée de telle sorte que lors de l'analyse du film de déphasage par spectrométrie de masse d'ions secondaires et lors de l'acquisition de la distribution d'intensité d'ions secondaires du silicium vers la profondeur du film de déphasage, la pente de la force ionique secondaire [coups/seconde] du silicium est inférieure à 150 [(coups/seconde)/nm] par rapport à la profondeur [nm] dans une direction allant vers le substrat transmettant la lumière dans la région interne du film de déphasage, mais excluant la région proche du substrat et la région de surface.
(JA) 透光性基板1上に、ケイ素と窒素とからなる材料で形成された位相シフト膜2と、遮光膜3とハードマスク膜4が積層されたマスクブランク10において、位相シフト膜に対して二次イオン質量分析法による分析を行いケイ素の二次イオン強度の深さ方向の分布を取得した時、位相シフト膜の基板近傍領域と表層領域を除く内部領域における透光性基板側に向かう方向での深さ[nm]に対するケイ素の二次イオン強度[Counts/sec]の傾きが150[(Counts/sec)/nm]未満である。
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国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)