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1. (WO2019058945) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/058945 国際出願番号: PCT/JP2018/032598
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 03.09.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C09K 3/00 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
八木 一成 YAGI Kazunari; JP
川島 敬史 KAWASHIMA Takashi; JP
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
古谷 創 FURUTANI Hajime; JP
白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2017-18010820.09.2017JP
2018-00346312.01.2018JP
発明の名称: (EN) ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided are an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a resist film, a pattern formation method, and a method for manufacturing an electronic device capable of restraining a line width change of a pattern through post-exposure and obtaining a pattern with excellent LER performance. The active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition is a resin having a repeating unit with a group in which a phenolic hydroxyl group is protected by an acid releasable group, a first photoacid generator generating an acid that is pka of -2.00 to 2.00, and includes, when the generating acid is a carboxylic acid, a first photoacid generator having the carboxylic acid of pka of -2.00 to 1.00 (exclusive of 1.00) and a second photoacid generator generating the carboxylic acid of pka of 1.00 or more.
(FR) L'invention fournit une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement, un film de réserve, un procédé de formation de motif et un procédé de fabrication de dispositif électronique. Ladite composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement permet d'obtenir un motif excellent en termes de performances de rugosité de bord de ligne (LER), et permet d'inhiber une variation de largeur de ligne d'un motif due à une postexposition. La composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement de l'invention contient : une résine qui possède une unité de répétition présentant des groupes tels qu'un groupe hydroxyle phénolique est protégé par un groupe s'éliminant sous l'effet d'un acide; un premier générateur de photoacide qui génère un acide de valeur pka comprise entre -2,00 et 2,00, et qui dans le cas où ledit acide généré est un acide carboxylique, présente une valeur pka dudit acide carboxylique supérieure ou égale à -2,00 et inférieure à 1,00; et un second générateur de photoacide qui génère un acide carboxylique de valeur pka supérieure ou égale à 1,00.
(JA) LER性能に優れるパターンを得られ、かつ、引き置きによるパターンの線幅変化を抑制できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸脱離性基によってフェノール性水酸基が保護された基を有する繰り返し単位を有する樹脂、pkaが-2.00~2.00の酸を発生する第1の光酸発生剤であって、上記発生する酸がカルボン酸である場合は上記カルボン酸のpkaが-2.00以上1.00未満である第1の光酸発生剤、及びpkaが1.00以上のカルボン酸を発生する第2の光酸発生剤、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)