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1. WO2019058856 - プラズマ処理装置

公開番号 WO/2019/058856
公開日 28.03.2019
国際出願番号 PCT/JP2018/031005
国際出願日 22.08.2018
IPC
H05H 1/24 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
B01J 19/08 2006.1
B処理操作;運輸
01物理的または化学的方法または装置一般
J化学的または物理的方法,例.触媒またはコロイド化学;それらの関連装置
19化学的,物理的または物理化学的プロセス一般;それらに関連した装置
08電気または波動エネルギーあるいは粒子線放射を直接適用したプロセス;そのための装置
H05H 1/46 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
CPC
B01J 19/088
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
19Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
087employing electric or magnetic energy
088giving rise to electric discharges
B01J 19/126
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
19Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
12employing electromagnetic waves
122Incoherent waves
126Microwaves
B01J 2219/0877
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2219Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
0873Materials to be treated
0877Liquid
B01J 2219/0896
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2219Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
0894Processes carried out in the presence of a plasma
0896Cold plasma
B01J 2219/1227
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2219Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
12Processes employing electromagnetic waves
1203Incoherent waves
1206Microwaves
1209Features relating to the reactor or vessel
1221the reactor per se
1224Form of the reactor
1227Reactors comprising tubes with open ends
B01J 2219/1269
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2219Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
12Processes employing electromagnetic waves
1203Incoherent waves
1206Microwaves
1248Features relating to the microwave cavity
1269Microwave guides
出願人
  • 住友理工株式会社 SUMITOMO RIKO COMPANY LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人名古屋大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 笹井 建典 SASAI Kensuke
  • 豊田 浩孝 TOYODA Hirotaka
代理人
  • 藤谷 修 FUJITANI Osamu
  • 一色 昭則 ISSHIKI Akinori
  • 角谷 智広 KADOYA Tomohiro
優先権情報
2017-18012820.09.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約
(EN) The purpose of the present invention is to provide a plasma treatment device which performs uniform plasma treatment on a liquid. This plasma treatment device (100) comprises: a coaxial waveguide comprising an inner conductor (110), a first outer conductor (120) and a second outer conductor (130); a microwave generation unit (150); an outside tube (140) which is positioned outside of the first outer conductor (120) and the second outer conductor (130), and which, together with the first outer conductor (120) and the second outer conductor (130), forms a flow path (LP1) for circulating a liquid; and a plasma generation region (PG1). A first protrusion (121) of the first outer conductor (120) and a second protrusion (131) of the second outer conductor (130) are opposite of each other in a non-contacting state. The plasma generation region (PG1) is a region along where the first protrusion (121) of the first outer conductor (120) and the second protrusion (131) of the second outer conductor (130) are opposite of each other.
(FR) La présente invention a pour objet de fournir un dispositif de traitement par plasma qui effectue un traitement par plasma uniforme sur un liquide. Ledit dispositif de traitement par plasma (100) comprend : un guide d'ondes coaxial comprenant un conducteur interne (110), un premier conducteur externe (120) et un second conducteur externe (130) ; une unité de génération de micro-ondes (150) ; un tube extérieur (140) qui est positionné à l'extérieur du premier conducteur externe (120) et du second conducteur externe (130), et lequel, conjointement avec le premier conducteur externe (120) et le second conducteur externe (130), forme un trajet de circulation (LP1) permettant de faire circuler un liquide ; et une région de génération de plasma (PG1). Une première saillie (121) du premier conducteur externe (120) et une seconde saillie (131) du second conducteur externe (130) sont opposées l'une à l'autre dans un état sans contact. La région de génération de plasma (PG1) est une région le long de laquelle la première saillie (121) du premier conducteur externe (120) et la seconde saillie (131) du second conducteur externe sont opposées l'une à l'autre.
(JA) 本技術の目的は、液体に均一なプラズマ処理を実施することを図ったプラズマ処理装置を提供することである。プラズマ処理装置(100)は、内導体(110)と第1の外導体(120)と第2の外導体(130)とを備える同軸導波管と、マイクロ波発生部(150)と、第1の外導体(120)および第2の外導体(130)の外側に位置するとともに第1の外導体(120)および第2の外導体(130)とともに液体を流すための流路(LP1)を形成する外部管(140)と、プラズマ発生領域(PG1)と、を有する。第1の外導体(120)の第1の凸部(121)と第2の外導体(130)の第2の凸部(131)とは、非接触状態で対面している。プラズマ発生領域(PG1)は、第1の外導体(120)の第1の凸部(121)と第2の外導体(130)の第2の凸部(131)との対面箇所に沿う領域である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報