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1. (WO2019058721) スパッタリング用チタンターゲット及びその製造方法、並びにチタン含有薄膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/058721 国際出願番号: PCT/JP2018/026595
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 13.07.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C22F 1/18 (2006.01) ,C22C 14/00 (2006.01) ,C22F 1/00 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
16
上記以外の金属またはそれを基とする合金
18
高融点金属,耐火金属またはそれらを基とする合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
14
チタンを基とする合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
出願人:
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2,Otemachi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者:
村田 周平 MURATA,Shuhei; JP
正能 大起 SHONO,Daiki; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; 東京都港区新橋二丁目6番2号 新橋アイマークビル Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
2017-18169421.09.2017JP
発明の名称: (EN) TITANIUM SPUTTERING TARGET, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND METHOD FOR PRODUCING TITANIUM-CONTAINING THIN FILM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN TITANE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE MINCE CONTENANT DU TITANE
(JA) スパッタリング用チタンターゲット及びその製造方法、並びにチタン含有薄膜の製造方法
要約:
(EN) Provided is a titanium sputtering target having a recrystallized structure with an average crystal grain size of 1 µm or less. Also provided is a production method for a titanium sputtering target comprising: a step for large strain processing of cut titanium ingots to obtain processed sheets; a step for cold rolling said processed sheets at a reduction of at least 30%; and a step for heat-treating said rolled sheets at a temperature of 320°C or less.
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation en titane comprenant une structure recristallisée présentant une taille moyenne de grain cristallin inférieure ou égale à 1 µm. L'invention concerne également un procédé de production d'une cible de pulvérisation en titane comprenant : une étape de traitement à contrainte élevée de lingots en titane coupés pour obtenir des tôles traitées ; une étape de laminage à froid desdites tôles traitées jusqu'à une réduction d'au moins 30 % ; et une étape de traitement thermique desdites tôles laminées à une température inférieure ou égale à 320 °C.
(JA) 平均結晶粒径が1μm以下の再結晶組織を有するスパッタリング用チタンターゲットを提供する。また、切断したチタンインゴットを大ひずみ加工して加工板を得る工程と、前記加工板を30%以上の圧延率で冷間圧延して圧延板を得る工程と、前記圧延板を320℃以下の温度で熱処理する工程とを含むスパッタリング用チタンターゲットの製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)