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1. (WO2019058701) 基板処理方法および基板処理装置
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国際公開番号: WO/2019/058701 国際出願番号: PCT/JP2018/024948
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 29.06.2018
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
日野出 大輝 HINODE, Taiki; JP
藤井 定 FUJII, Sadamu; JP
代理人:
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
優先権情報:
2017-18069720.09.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約:
(EN) The method comprises: eliminating a polysilicon native oxide film, which is exposed on a side surface of a recessed portion 83 provided on a substrate W, thereby exposing a polysilicon thin film 84 on a side surface 83s in the recessed portion 83; after the polysilicon native oxide film has been eliminated, bringing IPA in liquid form into contact with the polysilicon thin film 84; and after the IPA has been brought into contact with the polysilicon thin film 84, supplying dilute ammonia water to the substrate W, thereby etching the polysilicon thin film 84.
(FR) Le procédé comprend : l’élimination d’un film d’oxyde natif de polysilicium, qui est exposé sur une surface latérale d’une partie évidée 83 disposée sur un substrat W, de façon à exposer un film mince de polysilicium 84 sur une surface latérale 83s dans la partie évidée 83 ; une fois que le film d’oxyde natif de polysilicium a été éliminé, la mise en contact d’IPA sous forme liquide avec le film mince de polysilicium 84 ; et une fois que l’IPA a été mis en contact avec le film mince de polysilicium 84, la fourniture d’eau ammoniacale diluée au substrat W, de façon à graver le film mince de polysilicium 84.
(JA) 基板Wに設けられた凹部83の側面で露出するポリシリコンの自然酸化膜を除去することにより、ポリシリコンの薄膜84を凹部83の側面83sで露出させる。ポリシリコンの自然酸化膜が除去された後に、ポリシリコンの薄膜84に液状のIPAを接触させる。IPAがポリシリコンの薄膜84に接触した後に、基板Wに希釈アンモニア水を供給することにより、ポリシリコンの薄膜84をエッチングする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)