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1. (WO2019058608) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
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国際公開番号: WO/2019/058608 国際出願番号: PCT/JP2018/011719
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 23.03.2018
IPC:
H01L 21/285 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
小川 有人 OGAWA, Arito; JP
清野 篤郎 SEINO, Atsuro; JP
代理人:
特許業務法人アイ・ピー・ウィン PATENT PROFESSIONAL CORPORATION IPWIN; 神奈川県横浜市神奈川区栄町10番地35 ポートサイドダイヤビル Portside Daiya Building, 10-35 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
優先権情報:
2017-18340625.09.2017JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
要約:
(EN) In order to reduce factors inhibiting deposition of a metal film, this method involves formation on a substrate of a metal nitride film that contains substantially no silicon atoms by repeating, in order: a first step, in which a metal-containing gas and a reducing gas containing silicon and hydrogen and not containing halogen are simultaneously supplied to a substrate and the pressure in the treatment chamber is set to a value within the range greater than or equal to 130 Pa and less than 3990 Pa at least during supply of the reducing gas; a second step in which the metal-containing gas and the reducing gas remaining in the treatment chamber are removed; a third step in which a nitrogen-containing gas is supplied to the substrate; and a fourth step in which the nitrogen-containing gas remaining in the treatment chamber is removed.
(FR) La présente invention vise à réduire les facteurs inhibant le dépôt d'un film métallique. À cet effet, ce procédé consiste à former sur un substrat un film de nitrure métallique qui ne contient sensiblement pas d'atomes de silicium en répétant, dans l'ordre : une première étape, dans laquelle un gaz contenant du métal et un gaz réducteur contenant du silicium et de l'hydrogène et ne contenant pas d'halogène sont simultanément fournis à un substrat et la pression dans la chambre de traitement est fixée à une valeur comprise dans la plage supérieure ou égale à 130 Pa et inférieure à 3990 Pa au moins durant l'alimentation en gaz réducteur ; une deuxième étape dans laquelle le gaz contenant du métal et le gaz réducteur restant dans la chambre de traitement sont éliminés ; une troisième étape dans laquelle un gaz contenant de l'azote est fourni au substrat ; et une quatrième étape dans laquelle le gaz contenant de l'azote restant dans la chambre de traitement est éliminé.
(JA) 金属膜の成膜阻害要因を低減することができる。 基板に対して、金属含有ガスと、シリコンおよび水素を含み、ハロゲンを含まない還元ガスと、を同時に供給するタイミングを有し、少なくとも前記還元ガスを供給する間の前記処理室内の圧力を130Pa以上3990Pa未満の範囲内の値とする第1の工程と、前記処理室内に残留する前記金属含有ガスおよび前記還元ガスを除去する第2の工程と、前記基板に対して、窒素含有ガスを供給する第3の工程と、前記処理室内に残留する前記窒素含有ガスを除去する第4の工程と、を順次繰り返して、前記基板上に、シリコン原子を実質的に含まない金属窒化膜を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)