(EN) Provided is a technique which enables a highly uniform film to be formed on a substrate. A technique according to an embodiment of the present invention is for treating a substrate by repeatedly executing a cycle of treatment comprising a process for supplying a raw material gas, a first purging process for discharging at least the raw material gas, a process for supplying a reaction gas, and a second purging process for discharging at least the reaction gas. In this technique, the substrate is held still while said cycle is being executed, and on the basis of a preset number of cycles, calculated is a predetermined angle for rotating the substrate upon completion of each cycle.
(FR) L'invention concerne une technique qui permet de former un film extrêmement uniforme sur un substrat. Une technique selon un mode de réalisation de la présente invention est destinée à traiter un substrat par exécution répétée d'un cycle de traitement comprenant une opération d'apport de gaz de matière première, une première opération de purge pour évacuer au moins le gaz de matière première, une opération d'apport d'un gaz de réaction et une seconde opération de purge pour évacuer au moins le gaz de réaction. Dans cette technique, le substrat est maintenu immobile pendant l'exécution dudit cycle, et, sur la base d'un nombre préétabli de cycles, un angle prédéterminé est calculé afin de faire tourner le substrat lors de l'achèvement de chaque cycle.
(JA) 基板上において、均一性の良い膜を成膜することのできる技術を提供する。本発明の一実施形態によれば、原料ガスを供給する工程と、少なくとも前記原料ガスを排出する第１パージ工程と、反応ガスを供給する工程と、少なくとも前記反応ガスを排出する第２パージ工程と、を１サイクルとした処理を繰返し実行して基板を処理する技術であって、該１サイクル実行中に基板を静止させると共に、１サイクル実行後に基板を回転させるための所定角度を予め決められたサイクル数に応じて算出させる技術が提供される。
