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1. (WO2019058488) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
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国際公開番号: WO/2019/058488 国際出願番号: PCT/JP2017/034157
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 21.09.2017
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
定田 拓也 JODA Takuya; JP
堀井 貞義 HORII Sadayoshi; JP
角田 徹 KAKUDA Toru; JP
奥野 正久 OKUNO Masahisa; JP
山本 克彦 YAMAMOTO Katsuhiko; JP
代理人:
特許業務法人アイ・ピー・ウィン PATENT PROFESSIONAL CORPORATION IPWIN; 神奈川県横浜市神奈川区栄町10番地35 ポートサイドダイヤビル Portside Daiya Building, 10-35 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
要約:
(EN) This substrate treatment apparatus has: a treatment chamber for treating a substrate; a vaporizer, which vaporizes a hydrogen peroxide-containing solution, and supplies the treatment chamber with the vaporized gas; a first liquid supply system that supplies the vaporizer with a first solution having a hydrogen peroxide concentration that is equal to a first concentration or higher; and a second liquid supply system that supplies the vaporizer with a second solution having a hydrogen peroxide concentration that is equal to a second concentration or lower, said second concentration being lower than the first concentration.
(FR) L'invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant : une chambre de traitement pour traiter un substrat ; un vaporisateur, qui vaporise une solution contenant du peroxyde d'hydrogène, et fournit le gaz vaporisé à la chambre de traitement ; un premier système d'alimentation en liquide qui fournit une première solution ayant une concentration en peroxyde d'hydrogène qui est supérieure ou égale à une première concentration au vaporisateur ; et un second système d'alimentation en liquide qui fournit une seconde solution ayant une concentration en peroxyde d'hydrogène qui est inférieure ou égale à une seconde concentration au vaporisateur, ladite seconde concentration étant inférieure à la première concentration.
(JA) 基板を処理する処理室と、過酸化水素を含む溶液を気化して処理室に気化ガスを供給する気化器と、過酸化水素の濃度が第1の濃度以上の第1の溶液を気化器に供給する第1の液体供給系と、過酸化水素の濃度が第1の濃度より低い第2の濃度以下である第2の溶液を気化器に供給する第2の液体供給系と、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)