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1. (WO2019058484) 半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/058484 国際出願番号: PCT/JP2017/034098
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 21.09.2017
IPC:
C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 29/42 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
42
ひ化ガリウム
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
橋尾 克司 HASHIO, Katsushi; JP
鴻池 一暁 KONOIKE, Kazuaki; JP
柳澤 拓弥 YANAGISAWA, Takuya; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMI-INSULATING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMI-INSULATING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À COMPOSÉ SEMI-ISOLANT ET MONOCRISTAL SEMI-CONDUCTEUR À COMPOSÉ SEMI-ISOLANT
(JA) 半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶
要約:
(EN) This semi-insulating compound semiconductor substrate includes a semi-insulating compound semiconductor, and the semi-insulating compound semiconductor substrate is such that, on a major surface having a surface orientation of (100), the standard deviation/average value of specific resistance measured at 0.1 mm intervals from the center of the major surface along four equivalent directions defined by <110>, and the standard deviation/average value of specific resistance measured at 0.1 mm intervals from the center of the major surface along four equivalent directions defined by <100> are each 0.1 or less.
(FR) Le substrat semi-conducteur à composé semi-isolant selon l'invention comprend un semi-conducteur à composé semi-isolant et le substrat semi-conducteur à composé semi-isolant est tel que, sur une surface principale présentant une orientation de surface de (100), le rapport écart-type/valeur moyenne de la résistance spécifique mesurée à des intervalles de 0,1 mm à partir du centre de la surface principale le long de quatre directions équivalentes définies par <110> et le rapport écart type/valeur moyenne de la résistance spécifique mesurée à des intervalles de 0,1 mm à partir du centre de la surface principale le long de quatre directions équivalentes définies par <100> sont respectivement de 0,1 ou moins.
(JA) 半絶縁性化合物半導体基板は、半絶縁性化合物半導体を含み、前記半絶縁性化合物半導体基板は、面方位が(100)である主面において、前記主面の中心から<110>方向の等価な4方向に沿って0.1mm間隔で測定した比抵抗の標準偏差/平均値、および前記主面の中心から<100>方向の等価な4方向に沿って0.1mm間隔で測定した比抵抗の標準偏差/平均値が、それぞれ0.1以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)