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1. (WO2019058483) 半絶縁性ヒ化ガリウム結晶基板
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国際公開番号: WO/2019/058483 国際出願番号: PCT/JP2017/034096
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 21.09.2017
IPC:
C30B 29/42 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
42
ひ化ガリウム
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
河本 真弥 KAWAMOTO, Shinya; JP
木山 誠 KIYAMA, Makoto; JP
石川 幸雄 ISHIKAWA, Yukio; JP
橋尾 克司 HASHIO, Katsushi; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE CRYSTAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE TYPE CRISTAL D'ARSÉNIURE DE GALLIUM SEMI-ISOLANT
(JA) 半絶縁性ヒ化ガリウム結晶基板
要約:
(EN) This semi-insulating gallium arsenide crystal substrate has, on a major surface having a surface orientation of (100) and a diameter of 2R mm, an average value of specific resistance of 5×107 Ω∙cm or more and a coefficient of variation of 0.50 or less in each of three measurement regions with centers thereof being points at distances of 0 mm, 0.5R mm, and (R-17) mm from the center of the major surface in the [010] direction, the coefficient of variation being obtained by dividing the standard deviation of the specific resistance by the average value of the specific resistance.
(FR) L'invention concerne un substrat de type cristal d'arséniure de gallium semi-isolant ayant, sur une surface principale ayant une orientation de surface (100) et un diamètre de 2R mm, une valeur moyenne de la résistance spécifique supérieure ou égale à 5×107 Ω∙cm et un coefficient de variation inférieur ou égal à 0,50 dans chacune de trois zones de mesure dont les centres sont des points à des distances de 0 mm, 0,5R mm et (R-17) mm du centre de la surface principale dans la direction [010], le coefficient de variation étant obtenu par division de l'écart-type de la résistance spécifique par la valeur moyenne de la résistance spécifique.
(JA) 半絶縁性ヒ化ガリウム結晶基板は、面方位が(100)の直径2Rmmの主面において、上記主面の中心から[010]方向に、0mm、0.5Rmm、および(R-17)mmの距離の点を中心とする3つの測定領域のそれぞれについて、比抵抗の平均値が5×107Ω・cm以上であり、比抵抗の標準偏差を比抵抗の平均値で除して得られる変動係数が0.50以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)