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1. WO2019058477 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

公開番号 WO/2019/058477
公開日 28.03.2019
国際出願番号 PCT/JP2017/034054
国際出願日 21.09.2017
IPC
H01L 21/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
CPC
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山下 広樹 YAMASHITA Hiroki
  • 新田 貴史 NITTA Takafumi
  • 島本 聡 SHIMAMOTO Satoshi
代理人
  • 福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro
  • 阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
要約
(EN) According to the present invention, a film including a cyclic structure comprising silicon and carbon, nitrogen, and oxygen is formed on a substrate by performing, under the conditions in which at least a portion of the cyclic structure comprising silicon and carbon is held, a cycle a prescribed number of times in which a step for feeding raw materials including the cyclic structure comprising silicon and carbon, and halogen to the substrate; a step for providing a nitriding agent to the substrate; and a step for providing an oxidizing agent to the substrate are performed non-simultaneously.
(FR) Selon la présente invention, un film comprenant une structure cyclique comprenant du silicium et du carbone, de l'azote et de l'oxygène est formé sur un substrat par réalisation, dans les conditions dans lesquelles au moins une partie de la structure cyclique comprenant du silicium et du carbone est maintenue, un cycle d'un nombre prescrit de fois dans lequel une étape consistant à fournir des matières premières comprenant la structure cyclique comprenant du silicium et du carbone, et un halogène au substrat ; une étape consistant à fournir un agent de nitruration au substrat ; et une étape consistant à fournir un agent oxydant au substrat sont effectués de manière non simultanée.
(JA) 基板に対して、シリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する工程と、基板に対して窒化剤を供給する工程と、基板に対して酸化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを、シリコンと炭素とで構成される環状構造の少なくとも一部が保持される条件下で、所定回数行うことにより、基板上に、シリコンと炭素とで構成される環状構造、窒素、および酸素を含む膜を形成する。
関連特許文献
JP2019542886出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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