(EN) According to the present invention, a film including a cyclic structure comprising silicon and carbon, nitrogen, and oxygen is formed on a substrate by performing, under the conditions in which at least a portion of the cyclic structure comprising silicon and carbon is held, a cycle a prescribed number of times in which a step for feeding raw materials including the cyclic structure comprising silicon and carbon, and halogen to the substrate; a step for providing a nitriding agent to the substrate; and a step for providing an oxidizing agent to the substrate are performed non-simultaneously.
(FR) Selon la présente invention, un film comprenant une structure cyclique comprenant du silicium et du carbone, de l'azote et de l'oxygène est formé sur un substrat par réalisation, dans les conditions dans lesquelles au moins une partie de la structure cyclique comprenant du silicium et du carbone est maintenue, un cycle d'un nombre prescrit de fois dans lequel une étape consistant à fournir des matières premières comprenant la structure cyclique comprenant du silicium et du carbone, et un halogène au substrat ; une étape consistant à fournir un agent de nitruration au substrat ; et une étape consistant à fournir un agent oxydant au substrat sont effectués de manière non simultanée.
(JA) 基板に対して、シリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する工程と、基板に対して窒化剤を供給する工程と、基板に対して酸化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを、シリコンと炭素とで構成される環状構造の少なくとも一部が保持される条件下で、所定回数行うことにより、基板上に、シリコンと炭素とで構成される環状構造、窒素、および酸素を含む膜を形成する。
