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1. (WO2019058473) 半導体装置およびこれを備えた電力変換装置
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国際公開番号: WO/2019/058473 国際出願番号: PCT/JP2017/034019
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 21.09.2017
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02K 11/33 (2016.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
[IPC code unknown for H02K 11/33]
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
梶原 孝信 KAJIHARA Takanobu; JP
大前 勝彦 OMAE Katsuhiko; JP
長尾 崇志 NAGAO Takashi; JP
船越 政行 FUNAKOSHI Masayuki; JP
江見 哲央 EMI Norio; JP
藤田 充紀 FUJITA Atsuki; JP
岡部 有紀 OKABE Yuki; JP
代理人:
大岩 増雄 OIWA Masuo; JP
村上 啓吾 MURAKAMI Keigo; JP
竹中 岑生 TAKENAKA Mineo; JP
吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE PROVIDED WITH SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE QUI EN EST DOTÉ
(JA) 半導体装置およびこれを備えた電力変換装置
要約:
(EN) In a semiconductor device (100), a heat dissipating surface-side skirt section, i.e., a frame-shaped protrusion, is provided on a heat dissipating surface (2b) of a lead frame (2). Consequently, the creeping distance is increased with a small increased amount of a resin, and insulating characteristics are improved. Furthermore, by means of molding the heat dissipating surface-side skirt section by undergoing a transfer molding step two times, fluidity of a second molding resin (8) is improved, and wettability is improved with respect to a first molding resin (7) and the lead frame (2), thereby improving adhesiveness. Furthermore, on the mounting surface (2a) side, an end surface (6a) of an inner lead (6) is exposed from an element sealing section (7b), and is covered with a second thin molded section (8c) that is molded using the second molding resin (8), thereby efficiently dissipating heat from both surfaces of a first thin molded section (1b) and the second thin molded section (8c), and improving heat dissipating characteristics, said heat having been generated by a semiconductor element (1).
(FR) Dans un dispositif à semi-conducteur (100), une section de jupe côté surface de dissipation de chaleur, c'est-à-dire une saillie en forme de cadre, est disposée sur une surface de dissipation de chaleur (2b) d'une grille de connexion (2). Par conséquent, la distance de fluage est augmentée par une petite quantité accrue d'une résine, et les caractéristiques d'isolation sont améliorées. En outre, par le moulage de la section de jupe côté surface de dissipation de chaleur en la soumettant deux fois à une étape de moulage par transfert, la fluidité d'une seconde résine de moulage (8) est améliorée, et la mouillabilité est améliorée par rapport à une première résine de moulage (7) et à la grille de connexion (2), ce qui permet d'améliorer l'adhésivité. En outre, sur le côté surface de montage (2a), une surface d'extrémité (6a) d'un conducteur interne (6) est exposée à partir d'une section d'étanchéité d'élément (7b), et est recouverte d'une seconde section moulée mince (8c) qui est moulée à l'aide de la seconde résine de moulage (8), ce qui permet de dissiper efficacement la chaleur émanant des deux surfaces d'une première section moulée mince (1b) et de la seconde section moulée mince (8c), et d'améliorer les caractéristiques de dissipation de chaleur, ladite chaleur ayant été générée par un élément semi-conducteur (1).
(JA) 半導体装置(100)は、リードフレーム(2)の放熱面(2b)に、枠状突起である放熱面側スカート部を設けている。これにより、少ない樹脂の増加量で沿面距離が長くなり、絶縁性が向上する。また、二回のトランスファー成形工程を経て放熱面側スカート部を成形することにより、第二のモールド樹脂(8)の流動性が向上し、第一のモールド樹脂(7)およびリードフレーム(2)に対し濡れ易くなり密着性が向上する。さらに、実装面(2a)側において、インナーリード(6)の端面(6a)を素子封止部(7b)から露出させ、第二のモールド樹脂(8)により成形された第二の薄肉成形部(8c)で覆うことにより、半導体素子(1)で発生した熱を第一の薄肉成形部(1b)と第二の薄肉成形部(8c)の両面から効率的に逃すことができるため、放熱性が向上する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)