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1. (WO2019058458) 半導体装置、半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/058458 国際出願番号: PCT/JP2017/033916
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 20.09.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
木須 光一郎 KISU, Koichiro; JP
阿多 保夫 ATA, Yasuo; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法
要約:
(EN) This semiconductor device is provided with: a semiconductor substrate; an effective region that is a conductive part formed in the semiconductor substrate; and an ineffective region that is a non-conductive part formed in the semiconductor substrate. Furthermore, the semiconductor device is provided with: a wiring metal formed in the effective region; a metal section, which is provided on an upper surface of the wiring metal, and which is exposed to the outside; an identifying mark, which is provided on the upper surface of the wiring metal by being separated from the metal section, and which is exposed to the outside, said identifying mark being to be used for the purpose of identifying the semiconductor device; and an insulating body, which is provided on the upper surface of the wiring metal, and which is adjacent to the metal section and the identifying mark, said insulating body being exposed to the outside.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur pourvu : d'un substrat semi-conducteur ; d'une région efficace qui est une partie conductrice formée dans le substrat semi-conducteur ; et d'une région inefficace qui est une partie non conductrice formée dans le substrat semi-conducteur. En outre, le dispositif à semi-conducteur est pourvu : d'un métal de câblage formé dans la région efficace ; d'une section métallique qui est disposée sur une surface supérieure du métal de câblage et qui est exposée vers l'extérieur ; d'une marque d'identification qui est disposée sur la surface supérieure du métal de câblage en étant séparée de la section métallique et qui est exposée vers l'extérieur, ladite marque d'identification étant destinée à être utilisée dans le but d'identifier le dispositif à semi-conducteur ; et d'un corps isolant qui est disposé sur la surface supérieure du métal de câblage et qui est adjacent à la section métallique et à la marque d'identification, ledit corps isolant étant exposé vers l'extérieur.
(JA) 半導体基板と、該半導体基板に形成された通電部分である有効領域と、該半導体基板に形成された非通電部分である無効領域とを備える。さらに、該有効領域に形成された配線金属と、該配線金属の上面に設けられ、外部に露出する金属部と、該配線金属の上面に該金属部と離れて設けられ、外部に露出し半導体装置の識別に用いられる識別マークと、該配線金属の上面に設けられ、該金属部と該識別マークに隣接し、外部に露出する絶縁体と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)