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1. (WO2019058440) 荷電粒子線装置
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国際公開番号: WO/2019/058440 国際出願番号: PCT/JP2017/033854
国際公開日: 28.03.2019 国際出願日: 20.09.2017
IPC:
H01J 37/22 (2006.01) ,H01J 37/24 (2006.01) ,H01J 37/244 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
22
管と関連した光学または写真装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
24
管の特定用途に使用されず,かつ他のどの分類にも属しない回路装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
244
検出器;関連の構成要素またはそのための回路
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
尾方 智彦 OGATA Tomohiko; JP
長谷川 正樹 HASEGAWA Masaki; JP
小貫 勝則 ONUKI Katsunori; JP
兼岡 則幸 KANEOKA Noriyuki; JP
村越 久弥 MURAKOSHI Hisaya; JP
代理人:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
要約:
(EN) In order to optimize defect contrast in a charged particle beam device that inverts charged particles directly above a sample and observes the electrons, this charged particle beam device is provided with a charged particle source (20), an electron gun control device (41) which applies a first voltage to the charged particle source, a substrate voltage control device (44) which applies a second voltage to a sample (30), an image forming optical system which includes an imaging lens (22) for imaging charged particles incident from the direction of the sample, a detector which includes a camera (32) for detecting the charged particles, and an image processing device (45) which processes the detected signal, wherein the imaging optical system is configured so as not to image secondary electrons emitted from the sample, but forms an image with mirror electrons bounced back by the electric field formed on the sample by means of the potential difference between the first and the second voltages. The image processing device (45) generates a control signal for controlling the potential difference on the basis of the acquired signal, and optimizes defect contrast by controlling the reflection surface of the mirror electrons.
(FR) La présente invention vise à optimiser le contraste de défaut dans un dispositif à faisceau de particules chargées qui inverse des particules chargées directement au-dessus d'un échantillon et observe les électrons. À cette fin, la présente invention porte sur un dispositif à faisceau de particules chargées qui est pourvu d'une source de particules chargées (20), d'un dispositif de commande de canon à électrons (41) qui applique une première tension à la source de particules chargées, d'un dispositif de commande de tension de substrat (44) qui applique une seconde tension à un échantillon (30), d'un système optique de formation d'image qui comprend une lentille d'imagerie (22) destinée à imager des particules chargées incidentes à partir de la direction de l'échantillon, d'un détecteur qui comprend une caméra (32) destinée à détecter les particules chargées, et d'un dispositif de traitement d'image (45) qui traite le signal détecté, le système optique d'imagerie étant configuré de sorte à ne pas imager des électrons secondaires émis à partir de l'échantillon, mais forme une image avec des électrons de miroir renvoyés par le champ électrique formé sur l'échantillon au moyen de la différence de potentiel entre les première et seconde tensions. Le dispositif de traitement d'image (45) génère un signal de commande pour commander la différence de potentiel sur la base du signal acquis et optimise un contraste de défaut par commande de la surface de réflexion des électrons de miroir.
(JA) 試料直上で荷電粒子を反転させて観察する荷電粒子線装置において、欠陥コントラストを最適化する。荷電粒子源(20)と、荷電粒子源に第1の電圧を印加する電子銃制御装置(41)と、試料(30)に第2の電圧を印加する基板電圧制御装置(44)と、試料の方向から入射する荷電粒子を結像する結像レンズ(22)を含む結像光学系と、荷電粒子を検出するカメラ(32)を含む検出器と、検出信号を処理する画像処理装置(45)とを備え、結像光学系は試料より放出された二次電子を結像しないように構成されると共に、第1及び第2の電圧の電位差により試料上に形成された電界に跳ね返されたミラー電子による像を形成する。画像処理装置(45)は、取得信号に基づいて電位差を制御する制御信号を生成、ミラー電子の反射面を制御して欠陥コントラストを最適化する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)