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1. (WO2019054444) 窒化ガリウム結晶膜の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/054444 国際出願番号: PCT/JP2018/033982
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 13.09.2018
IPC:
C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/448 (2006.01) ,C30B 25/16 (2006.01) ,C30B 29/38 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
448
反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの,例.先行する材料の蒸発または昇華によるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
16
制御または調整(制御または調整一般G05)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
国立大学法人東京農工大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都府中市晴見町3-8-1 3-8-1, Harumi-cho, Fuchu-shi, Tokyo 1838538, JP
大陽日酸株式会社 TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION [JP/JP]; 東京都品川区小山一丁目3番26号 3-26, Koyama 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1428558, JP
発明者:
纐纈 明伯 KOUKITU Akinori; JP
村上 尚 MURAKAMI, Hisashi; JP
山口 晃 YAMAGUCHI, Akira; JP
代理人:
中島 淳 NAKAJIMA, Jun; JP
加藤 和詳 KATO, Kazuyoshi; JP
福田 浩志 FUKUDA, Koji; JP
優先権情報:
2017-17709714.09.2017JP
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD FOR GALLIUM NITRIDE CRYSTAL FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM DE CRISTAUX DE NITRURE DE GALLIUM
(JA) 窒化ガリウム結晶膜の製造方法
要約:
(EN) Provided is a production method for gallium nitride crystal film, said method including a growing step for growing a gallium nitride crystal film on a substrate by supplying to the substrate: a carrier gas comprising an inert gas; GaCl3 gas; halogen gas; and NH3 gas, wherein, in the growing step, if the ratio of the partial pressure of the halogen gas to the partial pressure of the GaCl3 gas on the substrate is expressed as a partial pressure ratio (PHalogen/PGaCl3), said partial pressure ratio (PHalogen/PGaCl3) is 0.20 or above.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un film de cristaux de nitrure de gallium, ledit procédé comprenant une étape de croissance pour faire croître un film de cristaux de nitrure de gallium sur un substrat en fournissant au substrat : un gaz vecteur comprenant un gaz inerte ; du GaCl3 gazeux ; un halogène gazeux ; et du NH3 gazeux. Lors de l'étape de croissance, si le rapport de la pression partielle de l'halogène gazeux à la pression partielle du GaCl3 gazeux sur le substrat est exprimé sous la forme d'un rapport de pressions partielles (PHalogène/PGaCl3), ledit rapport de pressions partielles (PHalogène/PGaCl3) est supérieur ou égal à 0,20.
(JA) 基板上に、不活性ガスからなるキャリアガスと、GaClガスと、ハロゲンガスと、NHガスと、を供給することにより、前記基板上に窒化ガリウム結晶膜を成長させる成長工程を含み、前記成長工程において、前記基板上における前記GaClガスの分圧に対する前記ハロゲンガスの分圧の比を分圧比〔PHalogen/PGaCl3〕とした場合に、分圧比〔PHalogen/PGaCl3〕が0.20以上である窒化ガリウム結晶膜の製造方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)