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1. (WO2019054368) 基板の接合方法及び封止構造
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国際公開番号: WO/2019/054368 国際出願番号: PCT/JP2018/033626
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 11.09.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,H01L 23/02 (2006.01) ,H01L 23/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20
加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
02
容器,封止
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
02
容器,封止
10
部品間,例.容器の蓋と基台との間または容器のリードと壁との間,の封止の材料または配列に特徴のあるもの
出願人:
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
発明者:
松前 貴司 MATSUMAE Takashi; JP
倉島 優一 KURASHIMA Yuuichi; JP
高木 秀樹 TAKAGI Hideki; JP
代理人:
特許業務法人浅村特許事務所 ASAMURA PATENT OFFICE, P.C.; 東京都品川区東品川2丁目2番24号 天王洲セントラルタワー Tennoz Central Tower, 2-2-24 Higashi-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo 1408776, JP
優先権情報:
2017-17769515.09.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR JOINING SUBSTRATES, AND SEALING STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE JONCTION DE SUBSTRATS, ET STRUCTURE D'ÉTANCHÉITÉ
(JA) 基板の接合方法及び封止構造
要約:
(EN) Provided is a sealing structure formed by joining two substrates, wherein a metal having a diffusion coefficient of 1 × 10-60 (m2/s) or less at normal temperature, such as Ru, Ta, Mo, Hf, or W, is used as an underlayer between the substrates and either Au or an Au alloy serving as a joining layer. Alternatively, a typically used material such as Ti or Cr is used as the underlayer, and a layer of a diffusion barrier material such as Pt, Co, Ru, Ta, TiN, TaN, WN, In2O3, or Ni is disposed between the underlayer and the joining layer.
(FR) La présente invention concerne une structure d'étanchéité formée par jonction de deux substrats, un métal ayant un coefficient de diffusion inférieur ou égal à 1 × 10-60 (m2/s) à température normale, telle que du Ru, du Ta, du Mo, du Hf, ou du W, étant utilisé en tant que sous-couche entre les substrats et soit de l'Au soit un alliage d'Au servant de couche de jonction. En variante, un matériau typiquement utilisé tel que du Ti ou du Cr est utilisé en tant que sous-couche, et une couche d'un matériau barrière de diffusion tel que du Pt, du Co, du Ru, du Ta, du TiN, du TaN, du WN, de l'In2O3, ou du Ni est disposée entre la sous-couche et la couche de jonction.
(JA) 2枚の基板を接合することにより形成する封止構造において、基板と接合層であるAuまたはAu合金の間の下地層として、Ru、Ta、Mo、Hf、Wのような常温での拡散係数が1×10-60(m/s)以下である金属を用いる。あるいは下地層としてTi、Cr等一般的に使用されている材料を用い、かつ下地層と接合層の間にPt、Co、Ru、Ta、TiN、 TaN、 WN、In、Niなどの拡散バリア材料の層を配置する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)