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1. (WO2019054311) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/054311 国際出願番号: PCT/JP2018/033328
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 07.09.2018
IPC:
G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
吉村 務 YOSHIMURA Tsutomu; JP
米久田 康智 YONEKUTA Yasunori; JP
畠山 直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
西田 陽一 NISHIDA Yoichi; JP
代理人:
特許業務法人航栄特許事務所 KOH-EI PATENT FIRM, P.C.; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング9階 Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2017-17614713.09.2017JP
2018-01542431.01.2018JP
発明の名称: (EN) ACTIVE LIGHT RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS LUMINEUX ACTINIQUES OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER UN MOTIF ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) The present invention provides an active light ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that contains a resin (A), wherein the resin (A) contains acidic group-containing repeating units and acid-dissociable group-containing repeating units, the content of acidic group-containing repeating units is 15 mol% or more of the overall amount of repeating units in the resin (A), the content of acid-dissociable group-containing repeating units is more than 20 mol% of the overall amount of repeating units in the resin (A), the glass transition temperature of the resin (A) is 145ºC or lower, and the resin composition is used to form a film having a thickness of 2 μm or more. Also provided are a resist film obtained using the active light ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a method for forming a pattern, and a method for producing an electronic device.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine sensible aux rayons lumineux actifs ou sensible aux rayonnements qui contient une résine (A), la résine (A) contenant des unités de répétition contenant un groupe acide et des unités de répétition contenant un groupe dissociable par un acide, la teneur en unités de répétition contenant un groupe acide étant égale ou supérieure à 15 % en moles de la quantité globale d'unités de répétition dans la résine (A), la teneur en unités de répétition contenant un groupe dissociable par un acide étant supérieure à 20 % en moles de la quantité globale d'unités de répétition dans la résine (A), la température de transition vitreuse de la résine (A) étant égale ou inférieure à 145 °C et la composition de résine étant utilisée pour former un film ayant une épaisseur égale ou supérieure à 2 µm. De plus, la présente invention porte : sur un film de réserve obtenu en utilisant ladite composition de résine sensible aux rayons lumineux actiniques ou sensible au rayonnement ; sur un procédé permettant de former un motif ; et sur un procédé permettant de produire un dispositif électronique.
(JA) 本発明により、樹脂(A)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、 上記樹脂(A)は、酸性基を有する繰り返し単位と、酸分解性基を有する繰り返し単位とを含み、 上記酸性基を有する繰り返し単位の含有量が、上記樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して15モル%以上であり、 上記酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、上記樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して20モル%超であり、 上記樹脂(A)のガラス転移温度が145℃以下であり、 膜厚2μm以上の膜を形成するために用いられる、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)