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1. WO2019054101 - 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置

公開番号 WO/2019/054101
公開日 21.03.2019
国際出願番号 PCT/JP2018/029874
国際出願日 09.08.2018
IPC
H04N 5/3745 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
G01S 17/89 2006.1
G物理学
01測定;試験
S無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
17電波以外の電磁波の反射または再放射を使用する方式,例.ライダー方式
88特定の応用に特に適合したライダー方式
89マッピングまたはイメージング用のもの
H04N 5/33 2006.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
33赤外線の変換
CPC
G01S 17/894
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
17Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
88Lidar systems specially adapted for specific applications
89for mapping or imaging
8943D imaging with simultaneous measurement of time-of-flight at a 2D array of receiver pixels, e.g. time-of-flight cameras or flash lidar
G01S 7/4816
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
481Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
4816of receivers alone
G01S 7/4863
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
483Details of pulse systems
486Receivers
4861Circuits for detection, sampling, integration or read-out
4863Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
H01L 27/14603
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
H01L 27/14612
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
14612involving a transistor
H01L 27/14641
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14641Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松尾 純一 MATSUO, Junichi
  • 鈴木 静 SUZUKI, Sei
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
  • 寺谷 英作 TERATANI, Eisaku
  • 道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi
優先権情報
2017-17678114.09.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE PROVIDED WITH SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE ÉQUIPÉ DE CET ÉLÉMENT
(JA) 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置
要約
(EN) A solid-state imaging device (100) is provided with: a plurality of pixels (13) arranged in a matrix and comprising a photoelectric conversion unit (1) and a plurality of first transfer electrodes (3); and a plurality of control lines (12) connected to each of first transfer electrodes (3) that correspond to each other in a plurality of pixels (13) arranged in a specific row. The plurality of pixels (13) includes a plurality of first pixels (13a) and a plurality of second pixels (13b). The plurality of first pixels (13a) are provided with a floating diffusion layer (4) and a readout circuit (5). The second pixels (13b) share one floating diffusion layer (4) from among the first pixels (13a) arranged in the column direction. At least some of the plurality of control lines (12) are also connected to the first transfer electrodes (3) of pixels (13) that share at least one floating diffusion layer (4) and that are arranged adjacent in the column direction to each of the plurality of pixels (13) arranged in the specific row.
(FR) Selon l'invention, un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (100) comprend : une pluralité de pixels (13) agencés dans une matrice et comprenant une unité de conversion photoélectrique (1) et une pluralité de premières électrodes de transfert (3); et une pluralité de lignes de commande (12) connectées à chacune des premières électrodes de transfert (3) qui correspondent les unes aux autres dans une pluralité de pixels (13) agencés dans une rangée spécifique. La pluralité de pixels (13) comprend une pluralité de premiers pixels (13a) et une pluralité de seconds pixels (13b). La pluralité de premiers pixels (13a) comprend une couche de diffusion flottante (4) et un circuit de lecture (5). Les seconds pixels (13b) partagent une couche de diffusion flottante (4) parmi les premiers pixels (13a) disposés dans la direction de la colonne. Au moins une partie de la pluralité de lignes de commande (12) est également connectée aux premières électrodes de transfert (3) de pixels (13) qui partagent au moins une couche de diffusion flottante (4) et qui sont agencées de manière adjacente dans la direction de colonne vers chacun de la pluralité de pixels (13) agencés dans la rangée spécifique.
(JA) 固体撮像装置(100)は、光電変換部(1)と複数の第1の転送電極(3)とを有し、行列状に配置される複数の画素(13)と、特定の行に並ぶ複数の画素(13)における、互いに対応する第1の転送電極(3)のそれぞれに接続される複数の制御線(12)とを備え、複数の画素(13)は、複数の第1画素(13a)と、複数の第2画素(13b)とを含み、複数の第1画素(13a)は、浮遊拡散層(4)と、読み出し回路(5)とを備え、第2画素(13b)は、列方向に並ぶ第1画素(13a)のうちの1つと浮遊拡散層(4)を共用し、複数の制御線(12)のうちの少なくとも一部は、上記特定の行に並ぶ複数の画素(13)のそれぞれに対して、列方向に隣接して並ぶ、少なくとも1つの浮遊拡散層(4)を共用する画素(13)の第1の転送電極(3)にも接続される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報