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1. (WO2019054099) 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置
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国際公開番号: WO/2019/054099 国際出願番号: PCT/JP2018/029870
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 09.08.2018
IPC:
H04N 5/3745 (2011.01) ,G01S 17/89 (2006.01) ,H04N 5/33 (2006.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
3745
1つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
G 物理学
01
測定;試験
S
無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
17
電波以外の電磁波の反射または再放射を使用する方式,例.ライダー方式
88
特定の応用に特に適合したライダー方式
89
マッピングまたはイメージング用のもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
33
赤外線の変換
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
鈴木 静 SUZUKI, Sei; --
松尾 純一 MATSUO, Junichi; --
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; JP
寺谷 英作 TERATANI, Eisaku; JP
道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi; JP
優先権情報:
2017-17699414.09.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE EQUIPPED WITH SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE ÉQUIPÉ DE CE DISPOSITIF
(JA) 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置
要約:
(EN) Provided is a solid-state imaging device (100) provided with a plurality of pixels (20) arranged in a matrix on the semiconductor substrate. Each of the plurality of pixels (20) comprises: a photoelectric conversion unit (1) which converts received light into a signal charge; a plurality of read gates (6) which read out the signal charge from the photoelectric conversion unit (1); a plurality of charge storage units (2) which store the signal charges read out by the plurality of read gates (6); and a charge holding unit (10) which receives and holds the transfer of signal charge stored on one of a plurality of charge storage units (2), and transfers the held signal charge to one of the plurality of charge storage units (2).
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (100) pourvu d'une pluralité de pixels (20) disposés dans une matrice sur le substrat semi-conducteur. Chaque pixel de la pluralité de pixels (20) comprend : une unité de conversion photoélectrique (1) qui convertit la lumière reçue en une charge de signal ; une pluralité de portes de lecture (6) qui lisent la charge de signal à partir de l'unité de conversion photoélectrique (1) ; une pluralité d'unités de stockage de charge (2) qui stockent les charges de signal lues par la pluralité de portes de lecture (6) ; et une unité de maintien de charge (10) qui reçoit et maintient le transfert de charge de signal stockée sur l'une d'une pluralité d'unités de stockage de charge (2), et transfère la charge de signal conservée à l'une de la pluralité d'unités de stockage de charge (2).
(JA) 半導体基板に、行列状に配置される複数の画素(20)を備える固体撮像装置(100)であって、複数の画素(20)のそれぞれは、受光した光を信号電荷に変換する光電変換部(1)と、光電変換部(1)から信号電荷を読み出す複数の読み出しゲート(6)と、複数の読み出しゲート(6)により読み出される信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部(2)と、複数の電荷蓄積部(2)のうちの1つから、その電荷蓄積部(2)に蓄積される信号電荷の転送を受けて保持し、保持する信号電荷を、複数の電荷蓄積部(2)のうちの1つに転送する電荷保持部(10)と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)