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1. (WO2019054077) パワーモジュール及び逆導通IGBT
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国際公開番号: WO/2019/054077 国際出願番号: PCT/JP2018/029142
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 02.08.2018
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
06
複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
発明者:
佐藤 茂樹 SATO, Shigeki; JP
代理人:
星野 裕司 HOSHINO, Hiroshi; JP
優先権情報:
2017-17841015.09.2017JP
発明の名称: (EN) POWER MODULE AND REVERSE-CONDUCTING IGBT
(FR) MODULE D'ALIMENTATION ET IGBT À CONDUCTION INVERSE
(JA) パワーモジュール及び逆導通IGBT
要約:
(EN) Provided are a power module and reverse-conducting IGBT with which it is possible to improve the control properties of an IGBT having a dummy trench gate structure. The power module packages together: a power semiconductor module chip having formed on the same chip an IGBT 41A having a trench gate structure which includes a dummy trench gate, and a freewheeling diode 5A for returning excess carrier of the emitter of the IGBT 41A to the collector of the IGBT 41A; and a drive chip 3A for on/off driving the IGBT 41A. The power semiconductor chip and the drive chip 3A are packaged together in the power module. The power module is further provided with a charge storage element CP1 which is connected between the emitter and the gate of a dummy IGBT 42A which can be pseudo-formed in order that the dummy trench date be used in screening examinations.
(FR) L'invention concerne un module d'alimentation et un IGBT à conduction inverse permettant d'améliorer les propriétés de commande d'un IGBT présentant une structure de grille en tranchée factice. Le module d'alimentation intègre : une puce de module semi-conductrice d'alimentation sur laquelle est formée un IGBT (41A) présentant une structure de grille en tranchée qui comprend une grille en tranchée factice, et une diode de roue libre (5A) destinée à renvoyer un excédent de porteuse de l'émetteur de l'IGBT (41A) au collecteur de l'IGBT (41A) ; et une puce d'attaque (3A) destinée à faire passer l'IGBT (41A) en mode marche/arrêt. La puce semi-conductrice d'alimentation et la puce d'attaque (3A) sont intégrées ensemble dans le module d'alimentation. Le module d'alimentation est en outre pourvu d'un élément de stockage de charge (CP1) monté entre l'émetteur et la grille d'un IGBT factice (42A) qui peut être pseudo-formé afin que la date de tranchée factice soit utilisée dans des examens de criblage.
(JA) ダミートレンチゲート構造を有するIGBTの制御性を向上させることが可能なパワーモジュール及び逆導通IGBTを提供する。ダミートレンチゲートを含むトレンチゲート構造のIGBT41Aと、IGBT41Aのエミッタの過剰キャリアをIGBT41Aのコレクタに戻すための還流ダイオード5Aと、が同一のチップ内に形成されたパワー半導体チップと、IGBT4Aをオン・オフ駆動するための駆動チップ3Aと、を備え、パワー半導体チップと駆動チップ3Aとをパッケージ化したパワーモジュールであって、ダミートレンチゲートをスクリーニング検査に供するために擬似的に形成され得るダミーIGBT42Aのゲートとエミッタとの間に接続された電荷蓄積素子CP1をさらに備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)