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1. WO2019053905 - 半導体装置

公開番号 WO/2019/053905
公開日 21.03.2019
国際出願番号 PCT/JP2017/033611
国際出願日 15.09.2017
IPC
H01L 21/338 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
338ショットキーゲートを有するもの
H01L 27/095 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
095構成部品がショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタであるもの
H01L 29/41 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
41その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
H01L 29/778 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
778二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H01L 29/812 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
80PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812ショットキーゲートを有するもの
CPC
H01L 21/8252
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
8252the substrate being a semiconductor, using III-V technology
H01L 27/0605
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0605integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
H01L 27/085
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/2003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
2003Nitride compounds
H01L 29/41725
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
出願人
  • サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 町田 修 Machida Osamu
  • 田坂 泰 Tasaka Yasushi
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN) This semiconductor device is provided with a nitride semiconductor layer, and a switching element that includes: first portions of first electrodes formed on the nitride semiconductor layer; second electrodes formed on the nitride semiconductor layer; and first control electrodes, which are provided between the second electrodes and the first portions of the first electrodes, and which are formed on the nitride semiconductor layer. The semiconductor device is also provided with a driving transistor that includes: second portions of the first electrodes, said second portions connecting to each other the first portions of the first electrodes adjacent to each other, and being formed on the nitride semiconductor layer; a third electrode, which is formed on the nitride semiconductor layer, and which transmits a signal to the first control electrodes; and a second control electrode, which is provided between the third electrode and the second portions of the first electrodes, and which is formed on the nitride semiconductor layer. Consequently, when the switching element is turned off, the switching element is capable of holding the off-state even if a drain voltage applied to the switching element is fluctuated.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur pourvu d'une couche semi-conductrice de nitrure, et d'un élément de commutation qui comprend : des premières parties de premières électrodes formées sur la couche semi-conductrice de nitrure ; des deuxièmes électrodes formées sur la couche semi-conductrice de nitrure ; et des premières électrodes de commande, qui sont disposées entre les deuxièmes électrodes et les premières parties des premières électrodes, et qui sont formées sur la couche semi-conductrice de nitrure. Le dispositif semi-conducteur est également pourvu d'un transistor d'excitation qui comprend : des secondes parties des premières électrodes, lesdites secondes parties reliant les unes aux autres les premières parties des premières électrodes adjacentes les unes aux autres, et étant formées sur la couche semi-conductrice de nitrure ; une troisième électrode, qui est formée sur la couche semi-conductrice de nitrure, et qui envoie un signal aux premières électrodes de commande ; et une seconde électrode de commande, qui est disposée entre la troisième électrode et les secondes parties des premières électrodes, et qui est formée sur la couche semi-conductrice de nitrure. Par conséquent, lorsque l'élément de commutation est éteint, l'élément de commutation est apte à rester à l'état éteint même si une tension de drain appliquée à l'élément de commutation fluctue.
(JA) 半導体装置は、窒化物系半導体層と、前記窒化物系半導体層上に形成された第1の電極の第1の部分と、前記窒化物系半導体層上に形成された第2の電極と、前記第1の電極の第1の部分と前記第2の電極との間にあって前記窒化物系半導体層上に形成された第1の制御電極と、を含むスイッチング素子と、隣り合う前記第1の電極の第1の部分同士を接続し前記窒化物系半導体層上に形成された第1の電極の第2の部分と、前記窒化物系半導体層上に形成され前記第1の制御電極に信号を送信する第3の電極と、前記第1の電極の第2の部分と前記第3の電極との間にあって前記窒化物系半導体層上に形成された第2の制御電極と、を含む駆動用トランジスタとを備える。これにより、スイッチング素子のオフ時、スイッチング素子に印加されるドレイン電圧の変動等が生じても、スイッチング素子はオフ状態を保持することができる。
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