(EN) This semiconductor device is provided with a nitride semiconductor layer, and a switching element that includes: first portions of first electrodes formed on the nitride semiconductor layer; second electrodes formed on the nitride semiconductor layer; and first control electrodes, which are provided between the second electrodes and the first portions of the first electrodes, and which are formed on the nitride semiconductor layer. The semiconductor device is also provided with a driving transistor that includes: second portions of the first electrodes, said second portions connecting to each other the first portions of the first electrodes adjacent to each other, and being formed on the nitride semiconductor layer; a third electrode, which is formed on the nitride semiconductor layer, and which transmits a signal to the first control electrodes; and a second control electrode, which is provided between the third electrode and the second portions of the first electrodes, and which is formed on the nitride semiconductor layer. Consequently, when the switching element is turned off, the switching element is capable of holding the off-state even if a drain voltage applied to the switching element is fluctuated.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur pourvu d'une couche semi-conductrice de nitrure, et d'un élément de commutation qui comprend : des premières parties de premières électrodes formées sur la couche semi-conductrice de nitrure ; des deuxièmes électrodes formées sur la couche semi-conductrice de nitrure ; et des premières électrodes de commande, qui sont disposées entre les deuxièmes électrodes et les premières parties des premières électrodes, et qui sont formées sur la couche semi-conductrice de nitrure. Le dispositif semi-conducteur est également pourvu d'un transistor d'excitation qui comprend : des secondes parties des premières électrodes, lesdites secondes parties reliant les unes aux autres les premières parties des premières électrodes adjacentes les unes aux autres, et étant formées sur la couche semi-conductrice de nitrure ; une troisième électrode, qui est formée sur la couche semi-conductrice de nitrure, et qui envoie un signal aux premières électrodes de commande ; et une seconde électrode de commande, qui est disposée entre la troisième électrode et les secondes parties des premières électrodes, et qui est formée sur la couche semi-conductrice de nitrure. Par conséquent, lorsque l'élément de commutation est éteint, l'élément de commutation est apte à rester à l'état éteint même si une tension de drain appliquée à l'élément de commutation fluctue.
(JA) 半導体装置は、窒化物系半導体層と、前記窒化物系半導体層上に形成された第１の電極の第１の部分と、前記窒化物系半導体層上に形成された第２の電極と、前記第1の電極の第１の部分と前記第２の電極との間にあって前記窒化物系半導体層上に形成された第１の制御電極と、を含むスイッチング素子と、隣り合う前記第1の電極の第１の部分同士を接続し前記窒化物系半導体層上に形成された第1の電極の第２の部分と、前記窒化物系半導体層上に形成され前記第１の制御電極に信号を送信する第３の電極と、前記第1の電極の第２の部分と前記第３の電極との間にあって前記窒化物系半導体層上に形成された第２の制御電極と、を含む駆動用トランジスタとを備える。これにより、スイッチング素子のオフ時、スイッチング素子に印加されるドレイン電圧の変動等が生じても、スイッチング素子はオフ状態を保持することができる。
