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1. (WO2019053871) イオンミリング装置
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国際公開番号: WO/2019/053871 国際出願番号: PCT/JP2017/033428
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 15.09.2017
予備審査請求日: 19.11.2018
IPC:
H01J 37/30 (2006.01) ,H01J 37/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
30
物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
20
物体または材料を支持しまたは位置づける手段;支持体に関連した隔膜壁またはレンズを調節する手段
出願人:
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
金子 朝子 KANEKO Asako; JP
高須 久幸 TAKASU Hisayuki; JP
代理人:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ION MILLING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FRAISAGE IONIQUE
(JA) イオンミリング装置
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a technology to reduce a phenomenon in which sample-derived fine particles flicked by ion beam irradiation re-adhere to an ion milling surface. This ion milling device enables a reduction in re-adhesion of sample-derived fine particles by being provided with an ion source from which an ion beam is projected, a chamber, a sample stand on which a sample is mounted in the chamber, and a shielding plate mounted on the sample, and by comprising a magnet disposed in the chamber.
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une technologie permettant de réduire un phénomène dans lequel des particules fines dérivées d'un échantillon actionnées par irradiation par faisceau d'ions réadhèrent à une surface de fraisage ionique. Ce dispositif de fraisage ionique permet de réduire la réadhérence de particules fines dérivées d'un échantillon en comprenant une source d'ions à partir de laquelle un faisceau d'ions est projeté, une chambre, un support d'échantillon sur lequel un échantillon est monté dans la chambre, et une plaque de protection montée sur l'échantillon, et en ce qu'elle comprend un aimant disposé dans la chambre.
(JA) 本発明の目的は、イオンビーム照射で弾き飛ばされた試料由来の微粒子が、イオンミリング面に再付着する現象を低減する技術を提供することにある。 本発明のイオンミリング装置では、イオンビームを照射するイオン源と、チャンバと、チャンバ内で試料が載置される試料台と、試料に載置される遮蔽板と、を備え、チャンバ内に配置されている磁石と、を有することで、試料由来の微粒子の再付着を低減することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)