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1. (WO2019053841) 基板処理装置
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国際公開番号: WO/2019/053841 国際出願番号: PCT/JP2017/033270
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 14.09.2017
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,C23F 1/08 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
08
装置,例.写真製版
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
浅野 浩充 ASANO, Hiromitsu; --
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to subject a substrate to different types of processing without requiring an addition of a new device or an increase in tact time. Provided is a substrate manufacturing method comprising a substrate processing step of subjecting a substrate (8) to processing using a processing liquid (22) in which, by controlling the magnitude of a gap (16) between the substrate (8) and a cover (4) covering a nozzle (6) for spraying the processing liquid (22) from above the substrate (8), accumulation on the substrate (8) of the processing liquid (22) having been sprayed from the nozzle (6) is controlled.
(FR) Le but de la présente invention est de soumettre un substrat à différents types de traitement sans nécessiter l'ajout d'un nouveau dispositif ou d'une augmentation du temps de fabrication. L'invention concerne un procédé de fabrication de substrat comprenant une étape de traitement de substrat consistant à soumettre un substrat (8) à un traitement à l'aide d'un liquide de traitement (22) dans lequel, en régulant l'amplitude d'un espace (16) entre le substrat (8) et un couvercle (4) recouvrant une buse (6) pour pulvériser le liquide de traitement (22) depuis le dessus du substrat (8), l'accumulation sur le substrat (8) du liquide de traitement (22) ayant été pulvérisé à partir de la buse (6) est commandée.
(JA) 新たな装置の追加およびタクトタイムの増加を必要とせずに、異なる種類の処理を基板に対し行うことを目的として、基板(8)と、処理液(22)を前記基板(8)の上方から散布するノズル(6)を覆うカバー(4)との間隙(16)の大きさを制御することにより、前記ノズル(6)から散布された、前記基板(8)上における前記処理液(22)の貯留を制御し、前記基板(8)に対して、前記処理液(22)による処理を行う基板処理工程を備えた基板製造方法を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)