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1. (WO2019053836) プラズマ処理装置およびウェットクリーニング方法
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国際公開番号: WO/2019/053836 国際出願番号: PCT/JP2017/033240
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 14.09.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,B01J 19/00 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
19
化学的,物理的,または物理化学的プロセス一般;それらに関連した装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
池永 和幸 IKENAGA, Kazuyuki; JP
松崎 大 MATSUZAKI, Masaru; JP
代理人:
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND WET CLEANING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE PAR VOIE HUMIDE
(JA) プラズマ処理装置およびウェットクリーニング方法
要約:
(EN) This plasma processing device comprises: a processing chamber 7 in which a wafer 4 is subjected to plasma processing; a dry pump (DP) 11 which depressurizes the processing chamber 7 via an evacuation pipe 10 connected to the processing chamber 7; a turbo molecular pump (TMP) 12 which evacuates the processing chamber 7 to a high degree of vacuum; and a stage 6 for mounting the wafer 4. The plasma processing device further comprises: a He evacuation pipe 80 which is a passageway for a heat-transfer gas for transmitting heat of the stage 6, which is temperature-adjusted, to the wafer 4; a first gas supply mechanism 141 which, during wet cleaning of the processing chamber 7 involving opening to the atmosphere, supplies gas to a portion of the evacuation pipe 10 that is exposed to the atmosphere; and a control device 150 which controls the first gas supply mechanism 141. The control device 150 is disposed in communication with the evacuation pipe 10.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant : une chambre de traitement 7 dans laquelle une tranche 4 est soumise à un traitement au plasma ; une pompe à sec (DP) 11 qui dépressurise la chambre de traitement 7 par l'intermédiaire d'un tuyau d'évacuation 10 relié à la chambre de traitement 7 ; une pompe turbomoléculaire (TMP) 12 qui évacue la chambre de traitement 7 jusqu'à un degré élevé de vide ; et un étage 6 pour monter la tranche 4. Le dispositif de traitement au plasma comprend en outre : un tuyau d'évacuation de He 80 qui est un passage pour un gaz de transfert de chaleur pour transmettre la chaleur de l'étage 6, qui est ajusté en température, à la tranche 4 ; un premier mécanisme d'alimentation en gaz 141 qui, pendant le nettoyage par voie humide de la chambre de traitement 7 impliquant l'ouverture dans l'atmosphère, fournit du gaz à une partie du tuyau d'évacuation 10 qui est exposée à l'atmosphère ; et un dispositif de commande 150 qui commande le premier mécanisme d'alimentation en gaz 141. Le dispositif de commande 150 est disposé en communication avec le tuyau d'évacuation 10.
(JA) プラズマ処理装置は、ウエハ4にプラズマ処理が行われる処理室7と、処理室7に接続された排気用配管10を介して処理室7を減圧するDP11と、処理室7の真空度を高い真空度に排気するTMP12と、ウエハ4を載置するステージ6と、を有する。さらに、温度調節されたステージ6の熱をウエハ4に伝達する伝熱ガスの流路であるHe排気用配管80と、大気開放を伴う処理室7のウェットクリーニング時に、排気用配管10の大気に曝される箇所にガスを供給する第1ガス供給機構141と、第1ガス供給機構141を制御する制御装置150と、を有し、制御装置150は、排気用配管10に連通して設けられている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)