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1. (WO2019053807) 基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/053807 国際出願番号: PCT/JP2017/033045
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 13.09.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
西堂 周平 SAIDO, Shuhei; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, HEATER APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, APPAREIL DE CHAUFFAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a substrate treatment apparatus in which attachment of by-products to an inner surface of a furnace throat section is prevented. This apparatus is provided with: a treatment chamber 6; a substrate holding tool 21; a treatment gas feed part 9 which feeds treatment gas into the treatment chamber; a first heater 3 which is disposed outside the treatment chamber and which is for heating the interior of the treatment chamber; a heat insulation part 22 which is disposed between a lid for the treatment chamber and the substrate holding tool; a second heater 34 which is disposed inside the heat insulation part at a location closer to the substrate holding tool, and which is for heating the interior of the treatment chamber; a third heater 35 which is disposed inside the treatment chamber at a location in the vicinity of an end portion closer to the lid, and which is for heating said end portion; and a feed part 24 which feeds, into the heat insulation part, purge gas for purging the surrounding area of the second and third heaters.
(FR) L'invention concerne un appareil de traitement de substrat dans lequel la fixation de sous-produits sur une surface interne d'une section de gorge de four est empêchée. Cet appareil est pourvu : d'une chambre de traitement 6 ; d'un outil de maintien de substrat 21 ; d'une partie d'alimentation en gaz de traitement 9 qui alimente en gaz de traitement la chambre de traitement ; d'un premier élément chauffant 3 qui est disposé à l'extérieur de la chambre de traitement et qui est destiné à chauffer l'intérieur de la chambre de traitement ; d'une partie d'isolation thermique 22 qui est disposée entre un couvercle pour la chambre de traitement et l'outil de maintien de substrat ; d'un second élément chauffant 34 qui est disposé à l'intérieur de la partie d'isolation thermique à un emplacement plus proche de l'outil de maintien de substrat, et qui est destiné à chauffer l'intérieur de la chambre de traitement ; d'un troisième élément chauffant 35 qui est disposé à l'intérieur de la chambre de traitement à un emplacement au voisinage d'une partie d'extrémité plus proche du couvercle, et qui est destiné à chauffer ladite partie d'extrémité ; et d'une partie d'alimentation 24 qui alimente, dans la partie d'isolation thermique, un gaz de purge pour purger la zone environnante des deuxième et troisième éléments chauffants.
(JA) 炉口部内面への副生成物の付着を防止する基板処理装置が開示される。装置は、処理室6と、基板保持具21と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部9と、処理室外に設置され処理室内を加熱する第1ヒータ3と、処理室の蓋と前記基板保持具との間に設置された断熱部22と、断熱部内の前記基板保持具寄りに設置され、処理室内を加熱する第2ヒータ34と、処理室内の蓋寄りの端部の近くに設置され、前記端部を加熱する第3ヒータ35と、前記第2ヒータ及び前記第3ヒータの周辺をパージするガスを断熱部内にパージガスを供給する供給部24と、を備えた。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)