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1. (WO2019053805) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
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国際公開番号: WO/2019/053805 国際出願番号: PCT/JP2017/033043
国際公開日: 21.03.2019 国際出願日: 13.09.2017
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
豊田 一行 TOYODA, Kazuyuki; JP
山本 哲夫 YAMAMOTO, Tetsuo; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
要約:
(EN) The present invention makes it possible to provide a technology including a processing chamber for processing a substrate, a first microwave supply unit for supplying microwaves of a first frequency for heating a dielectric disposed in the processing chamber, and a second microwave supply unit for supplying microwaves of a second frequency higher than the first frequency and modifying the substrate surface. The technology also includes a control unit configured to control the first microwave supply unit and the second microwave supply unit so as to operate the first microwave supply unit until the substrate reaches a prescribed temperature, and once the substrate reaches the prescribed temperature, operate the second microwave supply unit.
(FR) La présente invention permet de fournir une technologie comprenant une chambre de traitement pour traiter un substrat, une première unité d'alimentation en micro-ondes pour fournir des micro-ondes d'une première fréquence pour chauffer un diélectrique disposé dans la chambre de traitement, et une seconde unité d'alimentation en micro-ondes pour fournir des micro-ondes d'une seconde fréquence supérieure à la première fréquence et modifier la surface du substrat. La technologie comprend également une unité de commande conçue pour commander la première unité d'alimentation en micro-ondes et la seconde unité d'alimentation en micro-ondes de façon à faire fonctionner la première unité d'alimentation en micro-ondes jusqu'à ce que le substrat atteigne une température prescrite, et une fois que le substrat atteint la température prescrite, faire fonctionner la seconde unité d'alimentation en micro-ondes.
(JA) 基板を処理する処理室と、前記処理室内に配置された誘電体を加熱する第1の周波数のマイクロ波を供給する第1のマイクロ波供給部と、前記第1の周波数よりも高い周波数であって前記基板表面を改質する第2の周波数のマイクロ波を供給する第2のマイクロ波供給部と、を有し、前記基板が所定の温度となるまでは前記第1のマイクロ波供給部を動作させ、前記基板が前記所定の温度となると、前記第2のマイクロ波供給部を動作させるように前記第1のマイクロ波供給部と前記第2のマイクロ波供給部とを制御するよう構成された制御部と、を有する技術を提供することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)