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1. (WO2019050185) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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国際公開番号: WO/2019/050185 国際出願番号: PCT/KR2018/009356
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 14.08.2018
IPC:
H01L 31/0725 (2012.01) ,H01L 31/0376 (2006.01) ,H01L 31/0368 (2006.01) ,H01L 31/046 (2014.01) ,H01L 31/032 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0725
多接合またはタンデムの太陽電池
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
036
それらの結晶構造または結晶面の特定の方向に特徴のあるもの
0376
アモルファス半導体を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
036
それらの結晶構造または結晶面の特定の方向に特徴のあるもの
0368
多結晶の半導体を含むもの
[IPC code unknown for H01L 31/046]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
0256
材料に特徴のあるもの
0264
無機物材料
032
ドーピング材料または他の不純物は別として,グループ31/0272~31/0312に分類されない化合物のみを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
出願人:
엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336, KR
発明者:
이기원 LEE, Giwon; KR
권정효 KWON, Jeonghyo; KR
심구환 SHIM, Goo Hwan; KR
양영성 YANG, Youngsung; KR
代理人:
특허법인 대아 DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 서울시 강남구 역삼로 123 한양빌딩 3층 3F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06243, KR
優先権情報:
10-2017-011346305.09.2017KR
10-2017-013404116.10.2017KR
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 태양전지 및 그 제조 방법
要約:
(EN) The present invention relates to a solar cell wherein some of unit layers constituting the solar cell are simultaneously formed such that light transmittance is improved and a current leak is suppressed, through a tunnel junction technology, thereby enabling the solar cell to have excellent temperature characteristics and photoelectric conversion efficiency or materials of the unit layers constituting the solar cell are designed such that photoelectric conversion efficiency is maximized through current matching between solar cells.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire dans laquelle certaines des couches unitaires constituant la cellule solaire sont formées simultanément de manière à améliorer le facteur de transmission lumineuse et à supprimer une fuite de courant, au moyen d'une technologie de jonction tunnel, ce qui permet à la cellule solaire de présenter d'excellentes caractéristiques de température et un excellent rendement de conversion photoélectrique, ou des matériaux des couches unitaires constituant la cellule solaire sont conçus de manière à maximiser le rendement de conversion photoélectrique par adaptation de courant entre cellules solaires.
(KO) 본 발명은 태양전지를 구성하는 단위 층들의 일부를 동시에 형성함으로써 터널 접합 기술에 의해 광투과도를 향상시키고 누설전류를 억제하며 우수한 온도 특성 및 광전 변환 효율을 가지거나 또는 태양전지를 구성하는 단위 층들의 재료를 설계하여 각 태양전지들 사이의 전류 매칭을 통해 광전 변환 효율을 극대화 한 태양전지에 관한 것이다.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 韓国語 (KO)
国際出願言語: 韓国語 (KO)