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1. (WO2019049876) エピタキシャルシリコン薄膜の製造に用いられるシリコン基板及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/049876 国際出願番号: PCT/JP2018/032815
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 05.09.2018
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,C23C 14/00 (2006.01) ,C23C 14/02 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 31/0392 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
02
被覆される材料の前処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
036
それらの結晶構造または結晶面の特定の方向に特徴のあるもの
0392
金属または絶縁基板に堆積させた薄膜を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2丁目12番1号 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
発明者:
伊原 学 IHARA Manabu; JP
長谷川 馨 HASEGAWA Kei; JP
高澤 千明 TAKAZAWA Chiaki; JP
松浦 明 MATSUURA Akira; JP
代理人:
特許業務法人たかはし国際特許事務所 TAKAHASHI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都杉並区上荻一丁目25番1号 ヤマキ産業ビル2階 YAMAKISANGYO Bldg. 2F, 25-1, Kamiogi 1-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670043, JP
優先権情報:
2017-17003705.09.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON SUBSTRATE TO BE USED FOR PRODUCTION OF EPITAXIAL SILICON THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS LA PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM ÉPITAXIAL, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) エピタキシャルシリコン薄膜の製造に用いられるシリコン基板及びその製造方法
要約:
(EN) The present invention addresses: the problem of providing a high-quality epitaxial silicon thin film having few defects in the production of an epitaxial silicon thin film using double layer porous silicon (DLPS); and the problem of providing a highly efficient single crystal silicon solar cell or the like at low cost. The problems are solved by a silicon substrate having a double layer porous silicon layer (DLPS) that is composed of a low porosity layer (LPL) and a high porosity layer (HPL), which is configured such that the low porosity layer (LPL) has a surface roughness (Rms) of 0.3 nm or less, said surface roughness being represented by formula (1). (In formula (1), l represents the standard length; and Z(x) represents the height difference from the reference line at the position x.)
(FR) La présente invention aborde le problème consistant à fournir une couche mince de silicium épitaxial de haute qualité qui présente peu de défauts dans la production d'une couche mince de silicium épitaxial à l'aide de silicium poreux bicouche (DLPS), et le problème consistant à fournir une photopile en silicium monocristallin ou similaire hautement efficace à faible coût. La solution porte sur un substrat en silicium comprenant une couche de silicium poreux bicouche (DLPS) composée d'une couche à faible porosité (LPL) et d'une couche à porosité élevée (HPL), qui est conçue de telle sorte que la couche à faible porosité (LPL) présente une rugosité de surface (Rms) inférieure ou égale à 0,3 nm représentée par la formule (1). (Dans la formule (1), l représente la longueur standard ; et Z(x) représente la différence de hauteur de la ligne de référence à la position x.)
(JA) 2層ポーラスシリコン(DLPS)を使用したエピタキシャルシリコン薄膜の製造において、欠陥の少ない高品質なエピタキシャルシリコン薄膜を提供し、ひいては高効率な単結晶シリコン太陽電池等を低コストで提供することを課題とし、低多孔度層(LPL)と高多孔度層(HPL)からなる2層ポーラスシリコン層を有するシリコン基板(DLPS)において、低多孔度層(LPL)の下記式(1)で表される表面粗さ(Rms)を、0.3nm以下となるようにすることにより上記課題を解決した。  [式(1)において、lは基準長さ、Z(x)は位置xにおける基準線からの高低差である。]
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)